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Helios Inline - tn电池片薄膜测量-SiNx 膜厚,折射率系数Helios Inline - tn减反射膜的表面钝化(surface passivation)和扩散势垒(diffusion barriera)对晶硅电池片的转换效率和长期稳定性起着很重要的作用,性能好的(a-SiNx:H)薄膜广泛的应用于此。而工艺参数的控制比如气压和温度等,对电池片 AR 膜膜厚,颜色和光学常数 n&k 有很大的影响。一般来说,要花费很多时间和熟练的技巧来获得精确的数据,以此来支持生产工艺的优化。在线测量AudioDev 提供独一无二的膜厚折射率测量设备, Helios Inline-tn 是可以集成到现有的电池生产在线使用!通过寻找工艺上的不稳定性的原因,来提高电池的质量和转换效率。比如,镀膜的不均匀性,镀膜机参数漂移,硅片切割工艺和制绒工艺上的不均一性都会影响电池的质量和效率。 测量示例Helios-Inline-tn 集锦晶硅测量– 膜厚:d– 折射率测量:N(光谱)产品线使用/R&D 部门使用-在线/每一片硅片测量-非破坏式和非接触式-静态和动态测量应用在所有相关晶硅电池– 多晶 & 单晶 (抛光, 粗糙, 组织化)应用在所有相关的组织化结构–等方性和各异性的化学腐蚀 – RIE(离子腐蚀)应用在所有相关的工艺– PE-Cvd– 磁控溅射集成示例对角线扫描 5X5 组电池在线操作此系统是在生产线上运行,直接放在镀膜设备后面。扫描测量每一片单独的硅片 (每片几个点)或者测量对角线上的电池片(每片几个点)SiN 层 AR 膜膜厚分布Helios 应用范围 硅片 镀膜后 印刷后 模组示例单晶绒面 SiN 薄膜硅片. 20 个点斜线扫描测量膜厚折射率显示优化你的工艺参数电池片测试/分选机和颜色测试是最终的产品测试,这只是判断电池片合格率,但是并不能提供直接的信息来判断工艺参数是否超出了预期的设置优化生产线工艺参数是,监控并优化产线上的每一个工站的参数,达到控制和优化整条生产线的效果。Helios inline-tn 的设计目的是用来管控电池片生产整个工艺中最重要的两个工艺参数:AR-膜的膜厚和折射率系数Helios inline-tn 的利益及投资回报率减少生产线停线和开机的时间在停线后和重新开线前,可以将使产线工艺重新达到稳定的时间最小化,可以省时间 单晶硅片测量数据膜厚和折射率SiN 薄膜多晶绒面硅片,20 个点斜线扫描测量,反射率光谱曲线,折射率光谱曲线和测量数据 更多。。。。。。。。 在生产工艺的早期就分类出不良品,从而节省材料在 AR 膜制备后,就可以直接判断出...

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