超频内存时序详解 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如 DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说 DDR400工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看 FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即 1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和 200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。 FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用 1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。 内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time „„及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的 DDR内存的寻址，先要进行 P-Bank的选择（通过DIMM上 CS片选信号进行），然后才是 L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在 P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现...
