这是一款全集成的CMOS 射频收发器芯片，采用了业界主流的0.18 μmCMOS 半导体工艺制造，片内集成了射频接收机和射频发射机，同时还集成了模拟基带（ABB）功能，能够同时支持模拟基带信号接口和数字基带信号接口。该芯片采用标准的48 脚QFN 封装，封装尺寸只有7mm×7mm，是目前市场上同类产品中集成度最高，功能最全、成本最低的一款产品。该芯片能够同时支持TD-SCDMA 3G 标准（3GPP）定义的两个工作频段（1880 ~ 1920MHz 和2010 ~2025MHz）和GSM 标准定义的四个工作频段（GSM 850 MHz、EGSM 900 MHz、DCS 1800MHz 和PCS1900MHz），并且能够在这两种模式、六个频段之间自由切换。 在架构上，该芯片的TD-SCDMA 接收机采用数字零中频（Digital Zero - IFArchitecture）的架构，而发射机采用的是直接上变频（Direct - UpconversionArchitecture）的架构；对于 GSM 模式，其接收机采用数字近零中频架构（Digital Low - IF Architecture），而发射机采用频率综合器直接调制架构（Sigma - Delta Frequency Synthesizer Modulation）。该芯片片上全集成了低噪音放大器（LNA），射频可变增益放大器（RF VGA），上、下变频混频器（Mixer），模拟LED 驱动（Ffilter），模数/数模转换器（A/D、D/A），频率综合器（Frequency Synthesizer）和数字信号处理器（DSP）。只需要少量外围元件，就能构成完整的射频子系统，并且可以通过选择模拟或数字基带接口支持目前市场上的所有基带芯片方案，同时比其他任何整体方案 BOM 都少20%以上。 此款芯片内还集成了数字补偿晶体振荡器（DCXO），只需要外接一个普通晶体就可以产生精确的片上参考时钟，这不但可以降低整个方案的成本，还使得整个系统对温度变化带来的频率漂移更加不敏感，进而满足发射接收频偏<0.1ppm 这样苛刻的GSM 标准要求。而目前市场上大多数传统方案中，用户一般都选择更为昂贵的TCXO（温补晶振）。 作为一款全集成的TD-SCDMA/GSM 双模射频收发器芯片有着优异的射频性能，其 TD-SCDMA 频段接收链噪声系数小于4dB，发射链误差矢量幅度（EVM）小于3%，远远好于3GPP 标准要求；同时其 GSM 频段接收灵敏度达-108dBm，远超过 GSM 标准规定的-102dBm；其发射频谱400kHz 的ACPR 达到-70dBc，比同类产品提高了3~5dB。 该芯片的另一卓越性能表现在其采用先进结构设计的频率综合器，它表出了优异的相位噪声性能和快速锁相特性（小于20μs）。得益于它的...
