1 .什么叫场效应管？ FET 是Field-Effect-Transistor 的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET 应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用 FET 替代。然而，由于 FET 的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。 2 . 场效应管的工作原理： (a) JFET 的概念图 (b) JFET 的符号 图 1(b)门极的箭头指向为p 指向 n 方向，分别表示内向为n 沟道 JFET，外向为p 沟道 JFET。 图 1（a）表示 n 沟道 JFET 的特性例。以此图为基础看看 JFET 的电气特性的特点。 首先，门极-源极间电压以 0V 时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间电压 VDS 从 0V 增加，漏电流 ID 几乎与 VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏电流 ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用 IDSS 表示。与此 IDSS 对应的VDS 称为夹断电压 VP ，此区域称为饱和区。 其次在漏极-源极间加一定的电压 VDS (例如 0.8V)，VGS 值从 0开始向负方向增加，ID 的值从 IDSS 开始慢慢地减少，对某 VGS 值 ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用 VGS (off)示。n 沟道 JFET 的情况则 VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的 JFET 对应 ID =0 的 VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号 JFET 时,将达到 ID =0.1-10μA 的 VGS 定义为 VGS (o ff) 的情况多些。 关于 JFET 为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的 ID ，用以门极与沟道间的 p n 结形成的反偏的门极电压控制 ID "。更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由 p n 结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 在 VGS =0 的非饱和区域，图 10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加 VDS 的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流 ID 流动。达到饱和区域如图 10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID 饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断...
