CDQZ-5107 SEHOTTKY 计算方法 1、由于前面计算变压器可知: Np=82T3 Ns=13 T3 2、在输入电压为 264Vac 时,反射到次级电压为: Vmax=264Vac*2 =373 VDC VSR=PSNN * Vmax =8213 *373=59
5 VDC 3、设次级感量引起的电压为:(VR:初级漏感引起的电压) VRR=PSNN * V R =8213 *90=14
5 VDC 4、计算肖特基的耐压值: VPP= VSR+ VRR+ Vo =59
5+12=86 VDC 5、计算出输出峰值电流: VSPK =DIO12=474
011*2=3
8A 6、由计算变压器可知: Irms=1
59A 故选择 3A/100V 的肖特基满足设计要求
(因 3A 的有效值为 3
9A) 客户名称 客户编号 公司编号 样品单编号 日期 输入范围 输入电压电流 CDQZ-5107 MOSFET 计算方法 1、由于前面计算变压器可知: Np=82T3 Ns=13 T3 2、输入电压最大值为264Vac,故经过桥式整流后,得到: Vmax=264Vac*2 =373 VDC 3、次级反射到初级的电压为: VPR=SPNN * VO =1382 *12=76 VDC 4、由前面计算变压器可知,取初级漏感引起的电压,VR =90 VDC,故MOFET 要求耐压值为: VDS= Vmax+ VR + VPR=373+90+76=539 VDC 5、计算初级峰值电流: Irms=DFVIVinOP***=6
0*100*88
01*82=0
227A ∴ IPK =3DIrms =3473
571A 6、故选择 2A/600V 的MOSFET 满足设计要求,即选用仙童 2N60C
客户名称 客户编号 公司编号 样品单编号 日期 输入范围