BPW34硅光电池说明VIP专享

BPW 34Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse GullwingSilicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse GullwingBPW 34 SBPW 34 S (E9087)2003-02-041BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (E9087)Wesentliche Merkmale•Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm•Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)•DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte•BPW 34 S/(E9087): geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten (JEDEC level 4)Anwendungen•Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb•IR-Fernsteuerungen•Industrieelektronik•„Messen/Steuern/Regeln“TypTypeBestellnummerOrdering CodeBPW 34Q62702-P73BPW 34 SQ62702-P1602BPW 34 S (E9087)Q62702-P1790Features•Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm•Short switching time (typ. 20 ns)•DIL plastic package with high packing density•BPW 34 S/(E9087): suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering (JEDEC level 4)Applications•Photointerrupters•IR remote controls•Industrial electronics•For control and drive circuits2003-02-042BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (E9087)GrenzwerteMaximum RatingsBezeichnungParameterSymbolSymbolWertValueEinheitUnitBPW 34 SBPW 34 S (E9087)BPW 34Betriebs- und LagertemperaturOperating and storage temperature rangeTop; Tstg– 40 … + 100– 40 … + 85°CSperrspannungReverse voltageVR32VVerlustleistung, TA = 25 °CTotal power dissipationPtot150mWKennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)BezeichnungParameterSymbolSymbolWertValueEinheitUnitFotoempfindlichkeit, VR = 5 VSpectral sensitivityS80 (≥ 50)nA/IxWellenlänge der max. FotoempfindlichkeitWavelength of max. sensitivityλS max2003-02-04850nmSpektraler Bereich der FotoempfindlichkeitS = 10% von SmaxSpectral range of sensitivityS = 10% of Smaxλ400 … 1100nmBestr...