三极管原理 我以NPN 三极管为例为你说明三极管的原理： 首先三极管是由两个P-N 结够成，NPN 三极管就是两头是N 型，中间是P 型。N 端为电子端，P 端为空穴端 在制造三极管时，要把发射区的N 型半导体电子浓度做的很大，基区P 型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N 型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成IB。 晶体三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率变换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百 W，频率至几百 MHz 左右。 这样的晶体三极管是在一个本征半导体中由三层 n 型半导体和 p 型半导体构成的。 本章学习晶体三极管所具有的NPN 型和 PNP 型结构以有晶体三极管的命名方法，并且从称为基极、集电极、发射极的三个电极中流过的电流值来研究晶体三极管中电流的流动方法和作用。然后，为了能够正确地作用晶体三极管，对晶体三极管的最大额定值、晶体三极管上施加的电压和电流的关系等进行分析。 2.1 晶体三极管是P 型和 N 型半导体和有机组合 2.1.1 晶体三极管的各种各样形状和名称 晶体三极管有三只脚，有的金属壳相当于其中一只脚。如图 2.1 所示，对应于不同的用途，有各种各样形状的三极管。另外，晶体三极管的名称根据 JIS C 7012，按图 2.3 所示那样决定。从晶体三极管的名称，我们可以了解其大致的用途和结构。 2.1.2 晶体三极管的结构和电路符号 晶体三极管按结构粗分有npn 型和 pnp 型两种类型。 Npn 型如图 2.2(a)所示，两端是n 型半导体，中间是p 型半导体。Pnp 型如同图(b)所示，两端是p 型半导体，中间是n 型半导体。 在图 2.2(a)、(b)中，被夹在中间的 p 型以及 n 型半导体部分，宽度只有数微米程度，非常的薄，这一部分称为基区（base:B）。夹住基区的两个半导体中一个称为发射区（emitter:E），另一个称为集电区(collector:C)。还有，发射区和集电区，例如在 npn 型的情况下，虽然都是 n 型的，但发射区与集电区相比，具有杂质浓度高出数百倍，并且交界面面积小等在结构上的不同。 同图(c)、(d)是 npn 型以及 pnp 型晶体三极管的电路符号。发射极中电流的流向用箭头表示，当为 npn 型时箭头向外，当为 pnp 型时...
