第五章例题5001)半导体的导电能力（）。(a)与导体相同(b)与绝缘体相同(c)介乎导体和绝缘体之间5002)当温度升高时，半导体的导电能力将（）。(a)增强(b)减弱(c)不变5003)P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。(a)带正电(b)带负电(c)不带电5005)将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。(a)变宽(b)变窄(c)不变5006)若将PN结短接，在外电路将（）。(a)产生一定量的恒定电流(b)产生一冲击电流(c)不产生电流※※※※※※※※5007)普通半导体二极管是由（）。(a)一个PN结组成(b)两个PN结组成(c)三个PN结组成5008)半导体二极管的主要特点是具有（）。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用5009)二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）。(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压5010)电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D、D截止(b)D、D截止，D3导通(c)D、D截止，D导通(d)D、D、D均截止5011)如图二极管为同一型号理想元件，uA=3sintV，uB=3V，R=4k，uF等于（）。(a)3V(b)3sintV(c)3V+3sintV※※※※※※※※5012)稳压管反向击穿后，其后果为（）。(a)永久性损坏(c)由于击穿而导致性能下降(b)只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损5013)温度稳定性最好的稳压管是（）。(a)稳定电压UZ=6V的管子(b)稳定电压UZ>6V的管子(c)稳定电压UZ<6V的管子值5014)如图，设DZ1稳定电压为7V，DZ2的稳定电压为13V，则输出电压UO等于（）。(a)0.7V(b)7V(c)13V(d)40V5015)电路如图所示，设DZ1的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压UO等于（）。(a)18V(b)6.7V(c)30V(d)12.7V5016)图1所示电路中，二极管D为理想元件，设ui=10sintV，稳压管DZ的稳定电压为5V，正向压降不计，画出输出电压UO的波形。RDZ1图2图uiuOD+-+-※※※※5017)一般晶体管是由（）。(a)一个PN结组成(b)二个PN结组成(c)三个PN结组成5018)在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。(a)PNP管的集电极(b)PNP管的发射极(c)NPN管的发射极5019)PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。(a)可以调换使用(b)不可以调换使用(c)PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用5020)晶体管的主要特点是具有（）。(a)单向导电性(b)电流放大作用(c)稳压作用5021)工作在放大状态的双极型晶体管是（）。(a)电流控制元件(b)电压控制元件(c)不可控元件5022)工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。(a)发射结正偏，集电结反偏(b)发射结反偏，集电结正偏(c)发射结、集电结均反偏(d)发射结、集电结均正偏5023)已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。(a)发射极(b)集电极(c)基极5024)晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定（）。(a)IC(b)UCE(c)IB(d)IE5025)所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。(a)放大区(b)饱和区(c)截止区5026)根据图中已标出各晶体管电极的电位，判断处于饱和状态的晶体管是（）。
