MOS 管及简单 CMOS 逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用 CMOS 工艺制成的
1、MOS 管 MOS 管又分为两种类型：N 型和 P 型
如下图所示:VDD［漏极N 型 MOSW以 N 型管为例，2 端为控制端，称为“栅极”；3 端通常接地，称为“源极”；源极电压记作 Vss,1 端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作 VDD
要使 1 端与 3 端导通，栅极 2 上要加高电平
对 P 型管，栅极、源极、漏极分别为 5 端、4 端、6 端
要使 4 端与 6 端导通，栅极 5 要加低电平
在 CMOS 工艺制成的逻辑器件或单片机中，N 型管与 P 型管往往是成对出 现的
同时出现的这两个 CMOS 管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通（即“截止”或“关断”），所以2、CMOS 逻辑电平高速 CMOS 电路的电源电压 V DD 通常为 +5V;Vss 接地，是 0V
高电平视为逻辑“1”，电平值的范围为：VDD 的 65%〜VDD（或者 VDD-1
5V〜VDD）低电平视作逻辑“0”，要求不超过 VDD 的 35%或 0〜1
5V 应看作不确定电平
在硬件设计中要避免出现不确定电平
近年来，随着亚微米技术的发展，单片机的电源呈下降趋势
低电源电压有助于降低功耗
VDD 为 3
3V 的 CMOS 器件已大量使用
在便携式应用中，VDD 为 2
7V，甚至 1
8V的单片机也已经出现
将来电源电压还会继续下降，降到 0
9V,但低于 VDD 的 35%的电平视为逻辑“0”，高于 VDD 的 65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的
斗3、非VDVs辎入输汎AHC001011L01I10逻辑卅门原刈图非门（反向器）是最简单的门电路，由一对 CMOS 管组成
其工作原理如下:A 端为高电平时，P 型管截止，N 型管导通，输出端 C 的电
