MOS 管及简单 CMOS 逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用 CMOS 工艺制成的。1、MOS 管 MOS 管又分为两种类型：N 型和 P 型。如下图所示:VDD［漏极N 型 MOSW以 N 型管为例，2 端为控制端，称为“栅极”；3 端通常接地，称为“源极”；源极电压记作 Vss,1 端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作 VDD。要使 1 端与 3 端导通，栅极 2 上要加高电平。对 P 型管，栅极、源极、漏极分别为 5 端、4 端、6 端。要使 4 端与 6 端导通，栅极 5 要加低电平。在 CMOS 工艺制成的逻辑器件或单片机中，N 型管与 P 型管往往是成对出 现的。同时出现的这两个 CMOS 管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通（即“截止”或“关断”），所以2、CMOS 逻辑电平高速 CMOS 电路的电源电压 V DD 通常为 +5V;Vss 接地，是 0V 。高电平视为逻辑“1”，电平值的范围为：VDD 的 65%〜VDD（或者 VDD-1.5V〜VDD）低电平视作逻辑“0”，要求不超过 VDD 的 35%或 0〜1.5V。+1.5V〜+3.5V 应看作不确定电平。在硬件设计中要避免出现不确定电平。近年来，随着亚微米技术的发展，单片机的电源呈下降趋势。低电源电压有助于降低功耗。VDD 为 3.3V 的 CMOS 器件已大量使用。在便携式应用中，VDD 为 2.7V，甚至 1.8V的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降，降到 0.9V,但低于 VDD 的 35%的电平视为逻辑“0”，高于 VDD 的 65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的。斗3、非VDVs辎入输汎AHC001011L01I10逻辑卅门原刈图非门（反向器）是最简单的门电路，由一对 CMOS 管组成。其工作原理如下:A 端为高电平时，P 型管截止，N 型管导通，输出端 C 的电平与 Vss 保持一致，输出低电平；A 端为低电平时，P 型管导通，N 型管截止，输出端 C 的电平与 VDD—致，输出高电平。4、与非门与非门工作原理：① 、A、B 输入均为低电平时，1、2 管导通，3、4 管截止，C 端电压与 VDD一致，输出高电平。② 、A 输入高电平，B 输入低电平时，1、3 管导通，2、4 管截止，C 端电位与 1 管的漏极保持一致，输出高电平。输入输出AC00I0]010C11③ 、A 输入低电平，B 输入高电平时，情况与②类似，亦输出高电平。④ 、A、B 输入均为高电平时，1、2 管截止，3、4 管导通，C 端电压与地一致，输出低电平。5、或非门或非门工作原理：① 、A、B 输入均为低电平时，1、2 管导通...
