第一章 常用半导体器件 1-1 晶体二极管 二．判断题 1． 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（T） 2． P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（F） 3． 晶体二极管有一个 PN结。所以有单向导电性。（T） 4． 晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（T） 5． 硅稳压管的动态电珠愈小，则稳压管的稳压性能愈好。（T） 6． 将 P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其叫界处形成 PN结。（T） 7． 稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（F） 8． 用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻。其数值是相同的。（F） 9． 二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（F） 10． 二极管的反向电阻越大，其单向导电性能就越好。（T） 11． 用500型万用表测试发光二极管，应该 R*10k挡。（T） 1-2 晶体三极管 二．判断题 1．晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或 P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（F） 2． 三极管的放大作用具体体现在Ic=ßIb。（T） 3． 晶体三极管具有能量放大作用。（F） 4． 硅三极管的Icbo值要比锗三极管的小。（T） 5． 如果集电流 Ic 大于集电极最大允许电流 Icm时，晶体三极管可顶损坏。（F） 6． 晶体二极管和三极管都是非线性器件。（T） 7． 3CG21管工作在饱和状态时，一定是 Ube
