《电子技术工艺基础》考试试题（考试时间：60分钟，满分100分）学号__________姓名__________班级___________评分__________一、填空题（每空1分，共50分）1、各代电子组装工艺中的技术：手工装联焊接技术、通孔插装技术、表面组装技术、微组装技术。2、1904年，弗莱明发明了第一只电子二极管(真空二极管)标志着世界从此进入了电子时代；1947年，Bell实验室肖克利发明第一只晶体管(点接触三极管)；1958年，TI基尔比研制成功第一块数字IC，宣布电子工业进入了集成电路时代。3、皮肤干燥时，人体电阻可呈现100kΩ以上，一旦潮湿，电阻可降到1kΩ一下。4、下列logo代表什么A：B：C：A、中国强制认证（ChinaCompulsoryCertification，CCC）B、国际标准化组织（InternationalOrganizationforStandardization，ISO）C、国际电信联盟（InternationalTelecommunicationUnion，ITU）5、电烙铁的握法如图(a)反握法(b)正握法(c)握笔法6、下列英文缩写名词对应的中文，ASIC：专用集成电路，FPGA：现场可编程逻辑门阵列SoC：片上系统，DFM：可制造性设计，DFX：最优化设计。7、CPLD/FPGA芯片设计流程：设计输入、设计编译、综合优化、仿真校验、测试下载。18、列举三个敏感电阻：光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻。9、IC引脚的形状主要有：针式引脚、J形引脚、L形引脚、球状引脚。10、IC产业链上、中、下游分别对应：IC设计、IC制造、IC封装和测试。11、芯片按使用领域可分为军用品、工业用品、民用/商用品三大类。12、电容器的国际单位是法/法拉（F），其中1F=1012PF，电阻器的国际单位是欧姆（Ω），其中1MΩ=103KΩ，电感器的国际单位是亨（H），其中1mH=10-3H13、直热式电烙铁的分为内热式、外热式。14、半导体二极管按其所使用的材料可分为硅管和锗管两类。15、半导体二极管实质上就是一个PN结，它具有的特性是单向导电性。二、判断题（每小题1分，共10分）1、电感品质因数Q越高，损耗功率越大，电路效率越高。（√）2、U盘中的Flash存储器芯片属于ROM。（×）3、晶体三极管是电流控制型器件。（√）4、话筒是将电信号转换为声音信号的电声元件。（×）5、光敏电阻是一种对光线极为敏感的电阻。（√）6、硅管的导通压降约为0.2V，锗管的导通压降约为0.7V。（×）7、器件信号确定后，进行器件的筛选，是为了去掉购买的器件中的问题产品。（√）8、安全用电包括供电系统安全、用电设备安全及人身安全三个方面。（√）9、在日常生活中，任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的原因只有接触起电。（×）10、在防静电工作中，防静电的三大基本方法是：接地静、电屏蔽、离子中和。（√）三、选择题（每小题2分，共10分）1、理想二极管的反向电阻为（B）。A、零B、无穷大C、约几百千欧D、以上都不对2、在换路瞬间，下列各项中除（C）不能跃变外，其他全可跃变。A、电阻电流B、电感电压C、电容电压D、电容电流3、在桥式整流电路制作中若有一个二极管极性焊反，将会造成（A）。A、变压器副边短路B、整流输出为半波整流C、整流输出极性改变4、集成电路T065的引脚排列如图所示，第一引脚是在（C）处。A、①B、②C、③D、④①②2③④5、电阻器的温度系数越小，则它的稳定性越（A）。A．好B．不好C．不变6、在选择电解电容时，应使线路的实际电压相当于所选额定电压的（A）。A．50％～70％B．100％C．150％4、发光二极管的正向压降为（C）左右。A．0.2VB．0.7VC．1.7V7、硅二极管的正向压降是（B）。A．0.2VB．0.7VC．1.7V8、电容器在工作时，加在电容器两端的交流电压的（C）值不得超过电容器的额定电压，否则会造成电容器的击穿。A．最小值B．有效值C．峰值9、下列触电原因中从左到右依次对应的是（B）3A．单极触电、双极触电、跨步触电B．双极触电、单极触电、跨步触电C．双极触电、跨步触电、单极触电D．跨步触电、单极触电、双极触电10、常见四种处理器架构有X86、ARM、MIPS、PowerPC。其中有一种属于复杂指令集（CISC），三种属于精简指令集（RISC）。请问，属于CISC的处理器架构是（A）。A．X86B．ARMC．MIPSD．PowerPC四、简答题。（20分）1、下列左边电阻器的色环依次为...
