邵阳县工业职业技术学校期中考试高一《电子技术基础》就业班考试试卷考试时量90分钟总分100分一、单项选择题（每题2分，共15题。注意：答案必须填在选择题答题卡内，否则不计分）1．温度升高，会使三极管的UBE、β和ICB0随之改变，最终使（）升高。A.ICB.VccC.RBD.UCE2．三极管是电流控制器件，三极电流关系为和IC=βIB。（）A.IC=IB+IEB.IE=IB+ICC.IB=IE+IC3．三极管放大电路有三种连接方式，从发射极输出信号的放大电路叫（）放大电路。A.共射极B.共基极C.共集极4.二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A．导通B.截止C.不能确定是导通还是截止5.滤波电路的作用是（）。A.减小交流电的脉动B.输出稳定电压C.整流6.利用二极管的（）可以交流电将变成直流电。A.放大特性B.稳压特性C.单向导电性7.在共射交流放大电路中，负载电阻RL愈大，则电压放大倍数AU（）。A.愈大B.不变C.愈小8.放大电路的非线性失真包括截止失真和（）。A.饱和失真B.交越失真C.两端失真9.基本放大电路中，输入耦合电容C1的作用是（）A．通直流和交流B.隔直流通交流C.隔交流通直流D.隔直流和交流10.温度影响了放大电路中的（），从而使静态工作点不稳定。A.三极管B.电容C.电阻D.电感11.某一个三极管三个极的对地电位分别是6V，5.3V，9V，则该管是（）。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管B.PNP锗管12.三极管作放大管时一般工作在（）。A.放大区B.截止区C.饱和区13.二极管的反向饱和电流在200C时是5μA，温度每升高100C，其反向饱和电流增大一倍，当温度升高为400C时，反向饱和电流（）。A.10μAB.15μAC.20uAD.100uA14.二极管外加电压VD=0.6V,流过二极管电流为120mA，则二极管的正向直流电阻RD是（）。A.15ΩB.5ΩC.20ΩD.50Ω15.二极管导通后，当流过它的电流增加一倍时，它两端的电压将（）。A.增加一倍B.略有增加C.增加一倍以上D.减小选择题答题卡123456789101112131415二.判断题（每小题2分，共20分）1.通频带BW=fL-fH。（）2.共发射极基本放大电路，输入信号为正弦交流电压，而输出端的电流ic的上半波出现切割失真，这种失真为截止失真。（）3.二极管的正向电阻比反向电阻小。（）4.在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值UL=U2。（）5.三极管放大电路的静态工作点一经设定后，还会受外界因素的影响。（）6.P型半导体材料中的多数载流子是自由电子。（）7.本征半导体内部自由电子浓度要大于空穴浓度。（）8.某晶体三极管的IB=10uA,IC=0.44mA；当IB=20uA，IC=0.89mA，则它的电流放大系数β=45。（）9.稳压二极管起稳压作用时是工作在反向击穿状态下。（）10.多级放大器的输入级的输入电阻是越大越好。（）三．填空题（共20分，每空1分）1.晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做，另一个叫做。2.硅晶体三极管发射结的导通电压（开启电压）约为V，锗晶体三极管的导通电压约为V。3.2AP系列晶体二极管是半导体材料制成的，2CP、2CZ系列晶体二极管是半导体材料制成的。4.IC/IB的比值叫，ΔIC/ΔIB的比值叫。5.工作在饱和状态的三极管，发射结处于偏置状态，集电结处于偏置状态。专业班级学号姓名第页，共页…………评卷密封线………………密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理………………评卷密封…………---○---○---6.放大电路的基极电流过大，可能会产生失真，采取措施是。7.三极管的输出特性曲线可以分为、和三个区域。8.已知某小功率三极管的发射极电流IE=5.2mA，电流放大倍数β=79，则输入电阻rbe=。9.共发射极放大电路的输出电压和输入电压的相位是的，为零稳定静态工作点，通常采用式偏置电路。10.三极管在、的外部条件下，具有电流放大作用。四、绘图题（10分）1.已知某放大电路的电路图如下图所示，请画出该放大电路对应的直流通路和交流通路。五、计算题1.已知电路如下图所示，电源电压为6V，LED发光二极管的管压降为3.6V，R=240Ω，分别求出两个电路中的流过发光二极管的电流I1和I2。（8分）2.已知电路如下图所示，Vcc=12V，Rc=4KΩ,Rb=100KΩ,β=50，rbe=1KΩ.试求：（1）输入电阻Ri（2）输出电阻Ro（3）电压放大倍数Au。（12分）第页，共页
