半导体行业常用气体介绍VIP免费

半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）:有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。2、锗烷（GeH4）:剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。3、磷烷（PH3）：剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。4、砷烷（AsH3）:剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。5、氢化锑（SbH3）:剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。6、乙硼烷（B2H6）:窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。7、三氟化硼（BF3）:有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。8、三氟化氮（NF3）:毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。9、三氟化磷（PF3）:毒性极强。作为气态磷离子注入源。10、四氟化硅（SiF4）:遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。11、五氟化磷（PF5）:在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。12、四氟化碳（CF4）:作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。13、六氟乙烷（C2H6）:在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。14、全氟丙烷（C3F8）:在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。半导体工业常用的混合气体1、外延（生长）混合气:在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（）、四氯化硅（）和硅烷等。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下表:绝缘混合气组成硅烷二氯二氢硅氯硅烷硅烷硅烷硅烷硅烷序号组份气体稀释气体1硅烷（SiH4）氦、氩、氢、氮2氯硅烷（SiCl4）氦、氩、氢、氮3二氯二氢硅（SiH2Cl2）氦、氩、氢、氮4乙硅烷（Si2H6）氦、氩、氢、氮2、化学气相淀积（CVD）用混合气：CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也不同，以下表是几类化学气相淀积混合气的组成：膜的种半导体硅烷（SiH4）+氧化亚氮（N20）+磷烷离子注入CVD导体膜六氟化钨（WF6）+氢CVD六氯化钼（MoCl6）+氢CVD3、掺杂混合气：在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。常用掺杂混合气：类型组份气稀释气备注硼化合物磷化合物砷化合物乙硼烷（B2H6）、三氯化硼（BCl3）、溴化硼（BBr3）磷烷（PH3）、氯化磷（PCl3）、溴化磷（PBr3）砷烷（AsH3）、三氯化砷（AsCl3）氦、氩、氢氦、氩、氢氦、氩、氢材质铝（Al）铬（Cr）钼（Mo）铂4、蚀刻混合气：蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等）蚀刻掉，而使...