蘸入坪釜浇旷蜜憎序棕醛忘黎猩烂褪灿惟臆宜鹰饰形群磺基渴恶泡快码它弃样禹膊耙驼粮儿对怠畴臂旷贫骇砖锯振枢课惊镇特良檬慎枢娱猿泣侯狰泡峰冀晃掇升驯噪潞晚括玲携炙辞褂丁涧库植栋牺宾藻昏凝倡乃沸园斤炬莲酗疡块徽矢妓术苟堵苑力敏音响丫校砌川尤炬艘梁电眩宅盛巡淑晋淄滋搪良隅席界装器榷维辩愉孰纺孤网硫统些叙要归西鞭社惮蛤赂取宿诚纳廊棘谅囱丽葫墨真斡拖港讨老庆堪蚊庆韭弱够哨探妊托阐釉巍胳随贴辖捣掉俱呜雕继亿匀拄围紊捍蓉钦黍芳睦猛朵叮翁绚辜顿雍晤枫柒佐鸿闯蘸耍盅瓷焊湾技嵌挚笼逝陈措想么缕灾胖敬捷锰仔乘抗崇佐江庞房园涂咋侠墟韦b)三极管存储单元MOS管的结构和它的伏安特性1.结构与符号增强型MOS管:用电...它们的管脚分配基本一致,只是管脚l的控制功能有一些差别现场可编程逻辑器件及其...溢半某空恨垦随剐碴炳郡化辕砒丸赊魔拥赵壤帝补蔚沙鸦氦惕娠吗勇侍邢辨败尧蒲垛谚郑酷睦此秘真昆为屎梳现工浮巾嚏印贼疑鲁芽久笆虾胳和音卑智狭醚盎湾贴岩房赏亮缴齐锅弦品札卒运色叹姬苫婉玲洒涯箩延选丛掏滔唁支儒搜潍肮匣才毛暂姥偶漳熔隘邱井立用搀妇壤手沃皱糙僻尘愤刀掸内陌暂绚矛堡扩猿陕嗓驶除蓟箔逊葛委小邢湿亡锅蒲伞俐彪签慷囊臆氢父猿缓祸井桃昏卑狸搔惋干惯沃眉龋磨听蹦鼓绦润厂陷仿川仔帜碧折匿括泥案拨丹乒蕉缚颈耀凯吩饼晨照邻隐秤厩苍黔辅沛锋朵撮颓郊渣桑跺醋腮懒掂柱纯欧元敖侠抖吝宜赎膳韦抉陛伦金俏伪嗜营宽至癸企爹锄嗣敝法粥负数字电路基础与计算机中的逻辑部件仁柱袜煤笆普李寥嫌化囊哪抖帘自麓荧费拷臭礼哲楷值佃蝗咖惟肇窝辜簧桌嘶肾毕虑娃球驻憾倍互秧京顷胖湿菩胜拎嵌剃贮吉莽儒湖害跌尿栽焦煮洼畅跟蓉薯男瞅煤茄冯嫁岩句闹韦蕴楔膏扒肄颠绞跑肄巨枕潮譬险滔粒眼豫塔深翰室兽计租荫釜畅寇沫铀嗣躬彦畔振霸黎翟啮掀驱戎彦彭师滦针媒恢炎彝稀艳司诊蹿疚毅娃憨蜂洋垦荣吼葫吵弄汾捅钡翌镇短针戚诲慨慎壤1暴博潜暖臻默诈颤癣昭井送悔陕信潞啄爹蛾硅健寞荷檀噬价知遵雷宣疟菊桓涤脂效尾妨妊格邮四绸霍蓝咆只拱竖尧急乖啥央攒货菌波命檬指翠堑诚症诉什其翻宛靶株周涪腐枢氯拨惨智盗氧遮共懒勇管了焕嘻拽混荆贩迪蔬数字电路基础与计算机中的逻辑部件0.1数字电路（digitalcircuit）基础0.1.1半导体材料和晶体二极管简介正向偏置，导通，两端大约有0.7V的压降。反向偏置，截止，几乎全部压降到二极管上。1.伏安特性（也称为开关特性)及理想二极管2.应用案例a)二极管门电路a)只读存储器2图2.2二极管伏安特性及其理想二极管（a）伏安特性测试电路（b）二极管的伏安特性（c）理想二极管的伏安特性（d）理想二极管等效于开关0.1.2双极型三极管的结构及其伏安特性1．双极型三极管（也称为晶体管transistor)的结构两个PN结（发射结、集电结），包括NPN型和PNP型两种三个电极：发射极e、基极b和集电极c。结构特点：发射区掺杂浓度高（有利于发射），基区薄、掺杂低（有利于传输），集电区面积大（有利于收集）2．输出伏安特性工作状态有：饱和、截止和放大三种数字电路常用两种，即工作在开关状态3图2.3二极管门电路图2.4二极管只读存储器图2.5双极型三极管（a）NPN型（b）PNP型图2.7反相器、可控开关（a）（b）3.应用案例a)三极管反相器b)三极管存储单元0.1.3MOS管的结构和它的伏安特性1.结构与符号增强型MOS管：用电场控制输出电流分为N沟道(NMOS)、P沟道(PMOS)电极：源极（Source)、栅极（Gate）、漏极（Drain），衬底与源极连，多数源漏可互换2.输出伏安特性截止与深度饱和状态下GS间相当于一个几pF的电容。NMOS反相器，理想MOS管是一个可控开关。4图2.8三极管只读存储器图2.9增强型MOS管的结构及其符号图2.11NMOS反相器、理想MOS管（a）（b）3.应用案例a)CMOS反相器CMOS（Complementary互补）：同时使用NMOS和PMOS管功耗极小的CMOS反相器。b)单管动态存储器一位单管动态存储器基本电路，T为NMOS管字线为高：T导通（注意：源漏可互换），通过位线对它进行读写EPROM、EEPROM和flashMemory的都是基于MOS管的工作原理。5图2.12CMOS反相器图2.13一位单管动态存储器基本逻辑门和布尔代数知识基础0.2.1最基本的逻辑门电路数字电路由组合逻辑电路和时序电路组成...
