外延生长的目的VIP免费

1东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所IC设计基础王志功东南大学无线电系2004年2东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.24第3章IC制造工艺3.1外延生长3.2掩膜制作3.3光刻3.4刻蚀3.5掺杂3.6绝缘层形成3.7金属层形成3东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.243.1外延生长(Epitaxy)外延生长的目的半导体工艺流程中的基片是抛光过的晶圆基片,直经在50到200mm(2-8英寸)之间,厚度约几百微米.尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上,但大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上.原因是未外延过的基片性能常常不能满足要求.外延的目的是用同质材料形成具有不同的掺杂种类及浓度,因而具有不同性能的晶体层.外延也是制作不同材料系统的技术之一.外延生长后的衬底适合于制作有各种要求的器件与IC,且可进行进一步处理.不同的外延工艺可制出不同的材料系统.4东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.24液态生长(LPE:LiquidPhaseEpitaxy)LPE意味着在晶体衬底上用金属性的溶液形成一个薄层。在加热过的饱和溶液里放上晶体,再把溶液降温,外延层便可形成在晶体表面。原因在于溶解度随温度变化而变化。LPE是最简单最廉价的外延生长方法.在III/IV族化合物器件制造中有广泛的应用.但其外延层的质量不高.尽管大部分AlGaAs/GaAs和InGaAsP/InP器件可用LPE来制作,目前,LPE逐渐被VPE,MOCVD,MBE法代替.5东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.24气相外延生长(VPE:VaporPhaseEpitaxy)VPE是指所有在气体环境下在晶体表面进行外延生长的技术的总称。在不同的VPE技术里，卤素(Halogen)传递生长法在制作各种材料的沉淀薄层中得到大量应用。任何把至少一种外延层生成元素以卤化物形式在衬底表面发生卤素析出反应从而形成外延层的过程都可归入卤素传递法，它在半导体工业中有尤其重要的地位。用这种方法外延生长的基片，可制作出很多种器件，如GaAs，GaAsP，LED管。GaAs微波二极管，大部分的Si双极型管，LSI及一些MOS逻辑电路等。6东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.24Si基片的卤素生长外延在一个反应炉内的SiCl4/H2系统中实现：在水平的外延生长炉中，Si基片放在石英管中的石墨板上，SiCl4，H2及气态杂质原子通过反应管。在外延过程中，石墨板被石英管周围的射频线圈加热到1500-2000度，在高温作用下，发生SiCl4+2H2Si+4HCl的反应，释放出的Si原子在基片表面形成单晶硅，典型的生长速度为0.5~1m/min.7东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.24金属有机物气相外延生长（MOVPE:MetalorganicVaporPhaseEpitaxy）III-V材料的MOVPE中，所需要生长的III，V族元素的源材料以气体混和物的形式进入反应炉中已加热的生长区里，在那里进行热分解与沉淀反应。MOVPE与其它VPE不同之处在于它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了。8东东南南大大学学射射频频与与光光电电集集成成电电路路研研究究所所2024.10.242024.10.24分子束外延生长(MBE:MolecularBeamEpitaxy)MBE在超真空中进行，基本工艺流程包含产生轰击衬底上生长区的III，V族元素的分子束等。MBE几乎可以在GaAs基片上生长无限多的外延层。这种技术可以控制GaAs，AlGaAs或InGaAs上的...