1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 1 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 2 2 23 24 2. 两种金属 A 和B 通过金属 C 相接触，若温度相等，证明其两端 a ，b 的电势差同 A，B 直接接触的电势差一样。如果 A 是 Au ，B 是 Ag，C 是 Cu 或 Al ，则 Va b 为多少？ 4. 受主浓度NA=1017CM-3 的P 型锗，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同 Al ，Au ，Pt 接触时，形成阻挡层还是反阻挡层？锗的电子亲和能取 4.13eV 。 25 5. 某功函数为 2.5eV 的金属表面受到光照射。 ①这个面吸收红光或紫光时，能发出光电子吗？ ②用波长为 185nm 的紫外线照射时，从表面放出的光电子的能量是多少 eV？ 26 6. 电阻率为 10 cm Ω⋅ 的n 型锗和金属接触形成的肖特基势垒二极管。若已知势垒高度为 0.3eV，求加上 5V 反向电压时候的空间电荷层厚度。 27 半导体物理学 基本概念 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。 空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。 施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。 受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。 杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质...
