1 射频传输线、连接元件和过渡元件简述 第一节 射频传输线 2 3 4 5 6 7 8 9 10 射频同轴连接器的设计 1970
12 一、同轴传输线的特性阻抗 1 同轴传输线的特性阻抗的一般公式 射频同轴连接器由一段同轴传输线、连接机构绝缘支架组成
所以,对同轴传输线的特性阻抗有一个比较全面的了解对射频同轴连接器的设计是非常重要的
同轴传输线特性阻抗的一般公式: CjGLjRZ'0 (1) 上式中: Zo¹—特性阻抗,欧姆 R —每单位长度上导体的内部电阻,欧姆/米 G —每单位长度上介质的电导,西门子/米 L —每单位长度的电感,享/米 C —每单位长度的电容,法/米 ω=2πf f—频率,赫 当R=G=0 时,公式(1)简化为: CLZ 0 (2) 在微波频率,导体的内部电感是很小的,每单位长度上的电感很接近于每单位长度上的外部电感: dDLln21 (3) 上式中: L —每单位长度的外部电感,享/米 μІ=μrμo — 介质的导磁率, 享/米 μr —介质的相对导磁率 μo=4π×10-7—真空导磁率,享/米 D—外导体的内径 d—内导体的外径 单位长度的电容可按下计算: 11 dDC/ln21 (4) 上式中: C — 每单位长度电容,法/米 ε1 =εrε0—介质的介电常数,法/米 εr —— 介质的相对介电常数 ε0 =1/Co2μo—真空介电常数,法/米 CO —在真空中的光速 CO=(2
997930±0
000003)×108,米/秒 将公式(3)和(4)代入(2),并只考虑非磁性介质的情况(μr=1
000),可得到: dDZrln00006
095860
590 (5) 请注意,真空光速: 0001C 真空导磁率 μo被任意地规定为严格等于 4π×10-7享/米
根据精确地进行的实验我们知道光速为 2