高速低功耗电流型灵敏放大器的设计VIP专享VIP免费

高速低功耗电流型灵敏放大器的设计摘要：提出了一款适合在低电压、大容量SRAM中应用的高速低功耗电流型灵敏放大器。该电路在交叉耦合反相器之间添加了一对隔离管，有效消除了大量位线寄生电容所带来的负面影响，从而极大提高了灵敏放大器的速度。同时，通过对时序控制电路的优化，有效降低了放大器的功耗。采用SMIC0.13μm数字工艺在HSpice下进行仿真，结果表明：在室温，1.2V工作电压下，灵敏放大器的放大延迟仅为0.344ns，功耗为102μW。相比文献中提出的电流型灵敏放大器，速度分别提高了9.47%和31.2%，功耗则降低了64.8%与63%。关键词：电流型灵敏放大器;交叉耦合反相器;隔离管;时序控制电路0引言静态随机访问存储器(SRAM)最初作为CPU与内存之间的缓存。近年来已广泛应用于高性能通信网络、便携式设备以及SOC系统中，呈现出向高速器件与低功耗性能方向发展的趋势。因此，设计高速低功耗的SRAM已成为现在SRAM技术的主流方向。灵敏放大器是SRAM的重要组成部分，它将位线上的微小信号差迅速放大到全摆幅模式，从而有效减小数据的读出延迟，同时由于不需要对位线电容完全充放电，因此也在某种程度上降低了功耗。所以，对高性能灵敏放大器进行设计是得到高速低功耗SRAM的一个有效途径。根据对位线上要进行处理的信号类型的不同，灵敏放大器可分为电压型灵敏放大器和电流型灵敏放大器。由于电流型灵敏放大器直接检测位线上的电流变化，不需要转化为电压信号，因此在速度上更具有优势，可满足高速的要求。针对不同的应用层面，目前出现了多种电流型灵敏放大器的设计结构：有源负载PBT结构，其优点是输出不受电源电压及偏置电压的影响;基于电流镜结构的电流灵敏放大器，可以应用在低压非易失存储器中;为了消除位线噪声电流，而提出的采用位线漏电流补偿技术的电流型灵敏放大器;单端伪差分电流灵敏放大器，旨在改善SRAM读出操作时的稳定性及延迟;为降低功耗而提出的由两级放大(全局和局部放大)构成的全电流模式灵敏放大器以及APD灵敏放大器。本文在分析目前广泛应用的电流型灵敏放大器的基础上，提出了一种改进型的结构，以提高灵敏放大器的速度为主要目标，兼顾考虑功耗，以实现速度和功耗之间合理的折衷。1传统的电流型灵敏放大器传统的电流型灵敏放大器是由4个晶体管构成的交叉耦合反相器单元，位线信号从漏极输入，经正反馈放大，再由漏极输出，电路如图1所示。灵敏放大器有2个工作阶段：预充电和信号放大阶段。预充电时，2个上拉P管将位线电压拉至VDD，同时平衡管(M3)开启，使位线电压近似相等;当灵敏放大器使能信号有效时，便进入放大阶段，检测到位线上电流的变化差值并放大输出。2改进的电流型灵敏放大器上述分析的灵敏放大器的输入和输出共用同一个端口，容易相互产生串扰，造成输出结果错误，并且当该端口作为输出端时，由于位线寄生电容较大，会浪费部分时间在对该电容进行充放电上，由灵敏放大器的延迟公式即式(1)可以看出，当位线电容Cbit增大时，延迟Td也将变大，不利于高速灵敏放大器的设计。所以可在原有电路结构的基础上添加一对隔离管，并对外围电路做一改进，具体结构如图2所示。当灵敏放大器进行放大时，隔离管(M10和M11)开启，信号输入和输出端被隔断，输出时可以不必考虑端口的寄生电容，因此有效提高了灵敏放大器的速度;并且当灵敏放大器处于预充状态时，隔离管关闭，这样反相器的P管和N管就被隔离开，之间没有通路，也就没有漏电流，从而降低了电路的功耗。另外电流型灵敏放大器的输入为电流信号，故不需要在位线上建立较大的电压差，即可快速放大差值信号。因此，从动态功耗即式(2)及式(1)可以看出，小的电压摆幅△Vs可使电流型灵敏放大器的功耗与延迟同时减小。此外，对灵敏放大器的时序控制也非常重要。若时序设置不当，有可能会造成灵敏放大器的读出错误，相反若设计得当，不仅可以减小数据的读出延迟，还可以有效地降低灵敏放大器的功耗。因此，需要对这部分做一特别考虑。2.1灵敏放大器的工作过程在预充电阶段，DRP为“0”，此时M1，M2，M3，M6，M7管导通，M10，M11管关断，位线BL和BL被上拉至电源电压VDD，平衡管M3使两边的位线电压处于近似相等的状态。...