f(E)=空穴分布函数：（胡基础知识1•导体，绝缘体和半导体的能带结构有什么不同并以此说明半导体的导电机理（两种载流子参与导电）与金属有何不同导体能带中一定有不满带:绝缘体能带中只有满带和空带，禁带宽度较宽一般人于 2eV；半导体 T=OK 时，能带中只有满带和空带，T>OK 时，能带中有不满带，禁带宽度较小，般小于2eV。（能带状况会发生变化）半导体的导带没有电子，但其价带中电子吸收能量，会跃迁至导带，价带中也会剩余空穴。在外电场的情况卞，跃迁到导带中的电子利价带中的空穴都会参与导电.而金属中价带电子是非满带，在外场的作用下直接产生电流。2•什么是空穴它有哪些基本特征以硅为例，对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。当满带附近有空状态 T 时，整个能带中的电流，以及电流在外场作用卞的变化，完全如同存在一个带正电荷 e 和具有正有效质量|mn*|、速度为 v（k9 的粒子的情况一样，这样假想的粒子称为空穴。3.半导体材料的一般特性。（1）电阻率介于导体与绝缘体之间（2）对温度、光照、电场、磁场、湿度等敏感（3）性质与掺杂密切相关4•费米统计分布与玻耳兹曼统计分 布 的主要差别是什么什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数为什么通常情况下，半导体中裁流子分布都可以用玻耳兹曼分布来描述麦克斯韦-玻尔兹曼统计的粒子是可分辨的；费米-狄拉克统计的粒子不可分辨.而且每个状态只可能占据一个粒子。低掺杂半导体中载流子遵循玻尔兹曼分布，称为非简并性系统：高掺杂半导体中载流子遵循费米分布，称为简并性系统。•答，即玻尔兹曼分布。f（E）=«7半导体中常见费米能级 EF 位于禁带中，满足 E-EF»k0T 的条件，因此导带和价带中的所有量子态来说，电子和空穴都可以用玻尔兹曼分布描述。5•由电子能带图中费米能级的位置和形态（如，水平.倾斜.分裂），分析半导体材料特性。1费米分布:玻尔当 E-EF»koT 时有・exp 任字)»],所以 1+现GaAs能带结构铐、（8 个半个的椭球等能面）和六个能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附件，称为错、硅的导带具有多能谷结构，硅和错的导带底和价带顶在 k 空间处于不同的 k 值，电子跃迁时伴随着声子的发射和吸收，称为间接带隙半导体，适用于制作半导体器件。价带靠近费米能级的能带上的载流子远人于远离费米能级那边，因此将该能带上的载流子称为多数载流子简称多子。反之则为少数载流子，简称少子。受热不均匀时，费米能级产生倾斜，导致电子...
