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PSpice仿真教程3旁路电容对低频特性的影响(交流扫描+参数扫描)VIP免费

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题目:旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响 电路如图所示,BJT 为NPN 型硅管,型号为2N3904,放大倍数为50,电路其他元件参数如图所示。分析旁路电容Ce 对共射极放大电路低频特性的影响。 步骤如下: 1、 绘制原理图如上图所示。 2、 修改三极管放大倍数 Bf=50; 双击交流源 v1 设置其属性为:ACMAG=15mv,ACPHASE=0。 3、修改 c3 的大小,双击 c3 的大小,设置 value={cval}。如图所示: 4、Get New PartParam,从元件库中找到符号Param。双击 Param 并设置其属性 Name1=cval, Value1=50uf。如图所示: 5、设置分析类型(根据题意,需设置交流扫描分析和参数扫描分析): ①交流扫描分析: 选择 Analysisset upAC Sweep,参数设置如下: ②参数扫描分析: 选择 Analysisset upParametric,参数设置如下: 6、 Analy sisSimu late,调用 Pspice A/D 对电路进行仿真计算。 计算完毕后,弹出如下对话框,表明有三项模拟结果的波形资料,点击 All 三个波形全显示在 probe 下,或只点击其中一条,在 probe 下只显示其中一条曲线。 点击 All。得到如下结果: 选择Trace Add(添加输出波形),,弹出Add Trace 对话框,在Trace Ex pression 中编辑 v (ou t)/v (in) 单击ok 按钮,仿真结果如下: 波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系,即幅频特性。同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。最左边的是ce 为200u f 时的幅频特性曲线,中间的那条是ce 为50u f 时的幅频特性曲线,最右边的那条是ce 为0.1u f 时的幅频特性曲线。 问题:从仿真结果中可以看出,旁路电容越大,下限截止频率fL(越低还是越高)? 下面测量c3=50u f 时的放大电路的低频截止频率。 步骤如下: 1、取消参数扫描分析。 2、 Analy sisSimu late,调用 Pspice A/D 对电路进行仿真计算。 3、在 probe 下,选择 Trace Add(添加输出波形),,弹出Add Trace 对话框,在 Trace Ex pression中编辑 v (ou t)/v (in) 单击ok 按钮,仿真结果如下: 4、在 probe 下,选择 ToolsCursorDisplay ,出现游标, 然后再选择选择 ToolsCursorMax ,通过游标读出最高点的电压增益为 130.603,将该数值乘以 0.707 得到 92.336. 在曲线上找到 v(out)/v(in)为 92.336 的点,读出此时的横坐标值即为下限截止频率。选择 ViewArea,准确找到该点。 找到该点后,点击ToolsLabelMark,在曲线上的该点标注该点的数值。 问题:当 c3=50uf 时,下限截止频率是多少?

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