PSpice仿真教程3旁路电容对低频特性的影响(交流扫描+参数扫描)VIP专享VIP免费

题目：旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响 电路如图所示，BJT 为NPN 型硅管，型号为2N3904，放大倍数为50，电路其他元件参数如图所示。分析旁路电容Ce 对共射极放大电路低频特性的影响。 步骤如下： 1、 绘制原理图如上图所示。 2、 修改三极管放大倍数 Bf=50； 双击交流源 v1 设置其属性为：ACMAG=15mv,ACPHASE=0。 3、修改 c3 的大小，双击 c3 的大小，设置 value={cval}。如图所示： 4、Get New PartParam，从元件库中找到符号Param。双击 Param 并设置其属性 Name1=cval, Value1=50uf。如图所示： 5、设置分析类型（根据题意，需设置交流扫描分析和参数扫描分析）： ①交流扫描分析： 选择 Analysisset upAC Sweep，参数设置如下： ②参数扫描分析： 选择 Analysisset upParametric，参数设置如下： 6、 Analy sisSimu late，调用 Pspice A/D 对电路进行仿真计算。 计算完毕后，弹出如下对话框，表明有三项模拟结果的波形资料，点击 All 三个波形全显示在 probe 下，或只点击其中一条，在 probe 下只显示其中一条曲线。 点击 All。得到如下结果： 选择Trace Add（添加输出波形），，弹出Add Trace 对话框，在Trace Ex pression 中编辑 v (ou t)/v (in) 单击ok 按钮，仿真结果如下： 波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系，即幅频特性。同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。最左边的是ce 为200u f 时的幅频特性曲线，中间的那条是ce 为50u f 时的幅频特性曲线，最右边的那条是ce 为0.1u f 时的幅频特性曲线。 问题：从仿真结果中可以看出，旁路电容越大，下限截止频率fL（越低还是越高）? 下面测量c3=50u f 时的放大电路的低频截止频率。 步骤如下： 1、取消参数扫描分析。 2、 Analy sisSimu late，调用 Pspice A/D 对电路进行仿真计算。 3、在 probe 下，选择 Trace Add（添加输出波形），，弹出Add Trace 对话框，在 Trace Ex pression中编辑 v (ou t)/v (in) 单击ok 按钮，仿真结果如下： 4、在 probe 下，选择 ToolsCursorDisplay ，出现游标， 然后再选择选择 ToolsCursorMax ，通过游标读出最高点的电压增益为 130.603，将该数值乘以 0.707 得到 92.336. 在曲线上找到 v（out）/v（in）为 92.336 的点，读出此时的横坐标值即为下限截止频率。选择 ViewArea，准确找到该点。 找到该点后，点击ToolsLabelMark，在曲线上的该点标注该点的数值。 问题：当 c3＝50uf 时，下限截止频率是多少？