《多晶硅行业准入条件》测评细则VIP专享VIP免费

《多晶硅行业准入条件》测评细则 中 华 人 民 共 和 国 工 业 和 信 息 化 部 二 ○一 一 年 九 月 引 言 本测评细则是为配合我国《多晶硅行业准入条件》的实施，科学、客观、公正、有效地评价多晶硅生产企业是否符合行业准入条件而编制，其包含了多晶硅生产企业应具备的基本准入条件和对应的评价方法。 1 《多晶硅行业准入条件》测评细则 1 范围 本测评细则规定了在中华人民共和国境内从事多晶硅生产（包括改扩建）企业（以下简称“多晶硅生产企业”）行业准入的评价方法。 本测评细则适用于采用不同工艺从事多晶硅生产企业行业准入的评价。 2 引用标准 下列标准包含的条文，通过在本方法中引用而构成为本方法的条文。在标准出版时所示版本均为有效。所有标准都会被修改，使用本方法的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T4061硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 GB 8978污水综合排放标准 GB/T 12348工业企业厂界环境噪声排放标准 GB/T 12963硅多晶 GB 16297大气污染物综合排放标准 GB 18599一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准 GB/T 24001环境管理体系 要求及使用指南 GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 GB/T 24579 酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 GB/T24580重掺N型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法 GB/T 24581低温傅里叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 GB/T24582 酸萃取 电感耦合等离子体质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T 25074太阳能级多晶硅 GB/T 28001职业健康安全管理体系 规范 GB/T XXXX 光伏电池用硅材料中Fe、 Cu、 Ni、 Cr、 Zn 金属杂质含量的ICP-MS 测量方法 2 SEMI PV1光伏级硅中微量元素的辉光放电质谱测试方法 SEMI PV10中子活化INAA分析测试方法 SEMI MF 1723 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准规程 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本方法。 3.1 原料单耗 原料单耗为生产1kg 多晶硅所消耗原料量。 3.2 多晶硅还原电耗 还原炉生长1kg 多晶硅产品所消耗的电量。 3.3 多晶硅综合电耗 生...