第三章扩散工艺VIP免费

精选2021版课件1LOGO第三章扩散工艺精选2021版课件2概述扩散原理（模型与公式）实际扩散分布的分析扩散工艺和设备扩散工艺质量检测主要内容精选2021版课件3概述掺杂——将所需要的杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体材料中的规定区域，以达到改变材料导电类型或电学性质的过程。掺杂的方法很多：合金法、扩散法、离子注入法。在IC制造中主要采用扩散和离子注入法。合金掺杂——通过杂质材料与半导体材料合金的方法实现掺杂的过程。离子注入掺杂——杂质通过离化、加速形成高能离子流，靠能量打入半导体材料的规定区域、形成杂质分布的过程。高浓度深结掺杂采用扩散方法，高精度浅结采用离子注入方法半导体器件制造中常用的掺杂杂质有磷、硼、砷，锑精选2021版课件4扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。精选2021版课件5扩散工艺在IC制造中的主要用途晶体管的基区、发射区双极器件的扩散电阻在MOS制造中形成源和漏互连引线多晶硅掺杂太阳能电池精选2021版课件6杂质扩散机构扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度；即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅衬底中，并使其具有特定的浓度分布。研究杂质在硅中的扩散运动规律目的何在呢？开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。研究IC制造过程中其它工艺步骤引入的扩散过程对杂质分布和器件电特性的影响。精选2021版课件71.1扩散的微观机制(1)间隙式扩散（interstitial）(2)替位式扩散（substitutional）间隙扩散杂质：O，Au，Fe，Cu，Ni，Zn，Mg替位扩散杂质：As，Al，Ga，Sb，Ge。替位原子的运动一般是以近邻处有空位为前题B，P，一般作为替位式扩散杂质，实际情况更复杂，包含了硅自间隙原子的作用，称填隙式或推填式扩散间隙式杂质：存在与晶格间隙的杂质替位式杂质：占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。精选2021版课件8许多杂质即可以是替位式也可以是间隙式溶于晶体的晶格中，并以间隙-替位式扩散。这类扩散杂质的跳跃率随空位和自间隙等缺陷的浓度增加而迅速增加。3)3)间隙间隙--替位式扩散替位式扩散精选2021版课件9杂质原子被从晶格位置“踢出”(Kick-out)AVA+IAi间隙间隙--替位式扩散替位式扩散有两种机制可能使这些杂质回到晶格位置。一种填隙杂质被一个空位俘获。另一种是杂质原子取代一个硅原子的晶格位置。精选2021版课件101.2杂质扩散系数与扩散方程1)菲克第一定律2)－如果在一个有限的基体中存在杂质浓度梯度，则杂质将会产生扩散运动，而且杂质的扩散方向是使得杂质浓度梯度减小。3)菲克第一定律：杂质的扩散流密度J正比于杂质浓度梯度，比例系数D定义为杂质在基体中的扩散系数。表达式为:xCxCxtxCDJ),((3.1)其中：C为杂质浓度,个/cm3；D为扩散系数，cm2/s；J为杂质净流量（单位面积单位时间内流过的原子个数），个/cm2·s虽然费克第一定律精确地描述了扩散过程，但在实际应用中很难去测量杂质的扩散流密度。精选2021版课件11讨论晶体中杂质浓度与扩散时间的关系在均匀横截面A的长条材料上，取长度为dx的一小段，J1是流入这一段体积的流量，J2是流出这一段体积的流量,流出该段体积的流量差为：12JJJ2J1dxA3)菲克第二定律精选2021版课件12如果J2≠J1，说明在这一小段体积中扩散物质的浓度发生了变化，在这一体积元内杂质的数量为浓度和微分体积元（A·dx）的乘积，因此连续性方程可以表示为：或者：xJAdxJJAtCAdx)(12xJttxC,J2J1Adx精选2021版课件13上式可以写为：代入菲克第一定律(3.1)得菲克第二定律：xtxJttxC),(),(xxtxCDttxC,),((3.2)——费克第二定律最通用的表达式。精选2021版课件14假设D和位置无关（杂质浓度很低时,可认为扩散系数与浓度无关，D...