电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期2006年1月12日课程成绩构成：平时10分，期中30分，实验0分，期末60分一二三四五合计一（20分）、问答题1．（8分）试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。2．（3分）射极跟随器为何称为电压跟随器？它具有什么特点？3．（3分）在集成电路中，为什么常用恒流源作为负载？4．（6分）什么是频率失真、非线性失真、交越失真？二（10分）、已知某反相比例放大器如图1所示，若图中集成运算放大器是理想的，已知电阻R1和Rf，试求：1．电压增益voAvfvi2．输入电阻Rif和输出电阻Rof3．直流平衡电阻Rp若图中集成运算放大器的电压增益为Ao，带宽为fBW。试求：4．带宽BWf图1三（10分）、电路如图2所示，已知电路参数为：12s=162kΩ,R=463kΩ,R=0.75kΩ,V=12V,RDDsiR=4kΩ；晶体管参数为：21.5,4/,12.5VVKmAVrkTds，试求输入电阻Ri和输出电阻oR。图2四（10分）、某差动放大电路如图3所示，滑动电阻器Rw的滑动片处于中间位置。已知三极管的0.7,50,100BEbbVrV稳压管的6,12,12,VVVVVVZCCEEbcLwR=5kΩ,R=100kΩ,R=30kΩ,R=200Ω,R=1kΩ。1．试问3ccRTRVe、、D、、z构成什么电路？2．求差模电压放大倍数12voAvdvvii图3五（10分）、反馈放大电路如图4所示。1．判断电路中的级间反馈类型和极性，说明反馈的作用；2．在深度负反馈条件下，写出电路的闭环电压增益表达式vfA；3．若要稳定电路的输出电流，在尽量保留原电路形式下，应去掉哪几个元件？在深度负反馈条件下，写出修改后电路的闭环电压增益表达式vsfA。图4电子科技大学二零零三至二零零四学年第一学期模拟电路基础课程考试题（120分钟）考试日期2003年12月20日一二三四五六七八九十总分评卷教师一、单项选择题（在每小题的四项被选答案中，选择出一个正确的答案，并将其号码填在提干的括号内。每小题2分，共30分）1.杂质半导体的杂质导电特性是指杂质半导体中（）。（1）多子远大于少子（2）多子远大于少子与其环境温度的改变无关（3）有限温度条件下，多子远大于少子（4）本征激发产生的自由电子空穴对可与杂质电离产生的载流子相比较2．多子浓度与温度无关，其原因是（）。（1）本征激发产生的多子远大于杂质电离产生的多子（2）环境温度的改变不会改变本征激发产生的多子和杂质电离产生的多子的比例（3）本征激发产生的多子远小于杂质电离产生的多子（4）在适量参杂和限定环境温度变化范围条件下，本征激发产生的多子远小于杂质电离产生的多子3．PN结两端反向偏压时，难以进行（）。（1）少子扩散（2）少子漂移（3）多子扩散（4）多子漂移4.锗材料二极管的PN结导通电压典型值为（）。（1）0.5V（2）0.1V（3）0.3V（4）0.7V5．用于电路稳压的稳压二极管工作在（）状态。（1）反向截止（2）正向导通（3）死区（4）反向击穿6．某只工作在放大状态的三极管，测得其三个管脚对地的电位分别是6V、5.3V、1V。由此判定出该管是（）。（1）NPN锗管（2）PNP锗管（3）NPN硅管（4）PNP硅管7．三极管的击穿电流CEOI是（）。（1）基极开路时的集电极电流（2）发射极开路时的集电极电流（3）基极短路时的集电极电流（4）发射极短路时的集电极电流8．某放大电路负载开路时输出电压为6V，连接2负载电阻后测得输出电压为4V,由此判定放大电路的输出电阻为（）。（1）1.5（2）1（3）0.5（4）0.259.某信号有待进行放大处理，现实情况是信号源内阻很低、负载电阻很低、信号的频带宽，所以在信号源与负载电阻之间接入（）电路。（1）CC（2）CB（3）CE-CC（4）CB-CE-CC10.BJT管组成的放大电路产生的非线性是指（）。（1）半导体器件的非线性所致，其输出波形中含有新的频率成分（2）截止失真、饱和失真、过流失真（3）截止失真、饱和失真、过流失真、交越失真（4）截止失真、饱和失真、交越失真11．CC电路如图1所示，属于（）负反馈。（1）电压串联（2）电流串联（3）电压并联（4）电流并联12．功率放大电路中，选择功放管时应该特别注意以下参数（）。（1）CMI,CEOBV,CMP（2）,CBOI,CMP（3）CMTIf,,（4）CM...
