计算机电路基础(模拟电子电路基础)VIP免费

模拟电子电路基础二极管内容回顾P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。PN结的形成：在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。PN结的导电特性：1、PN结加正向电压（P区接电源正极、N区接电源负极）时PN结处于导通状态，也叫正向偏置。2、PN结加反向电压（P区接电源负极、N区接电源正极）时PN结处于反向截止状态，也叫反向偏置。PN结的导电特性：单向导电性（正向导通，反向截止）半导体二极管基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。PN二极管的电路符号：半导体二极管实物图片晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。二极管的识别方法识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。TO-220晶体管TO-92晶体管TO-126晶体管晶体三极管晶体三极管三极管的结构原理：三极管的结构原理：半导体三极管：是由两个背靠背的PN结构成的。两个PN结，把半导体分成三个区域（三区二结）。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，双极型三极管有两种类型：NPNNPN型型和PNPPNP型型。三极管重要特性：三极管重要特性：具有电流放大作用和开关作用BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型半导体三极管基本结构集电结B发射结NPN集电区基区发射区CE集电结B发射结PNPCE集电区基区发射区NPN型PNP型BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号:NPNCBEPNPCBE三极管的发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。是发射结加正向电压时的电流方向。BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高集电结发射结三极管具有电流放大功能的内部条件：NNPRBEB电流放大原理EC集电结反偏发射结正偏发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE电子与基区空穴复合形成IBIB穿过集电结形成ICICECBIII三个极电流的关系为IC与IB之比称为电流放大倍数BCII要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。1.三极管电流放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏2.满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管不同类型的管子，其偏置电压不同，使用时要注意。++-+++-+三极管的伏安特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB一、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB,且IC=IB。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,称为截止区。输出特性三个区域的特点:(1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区：UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0当晶体管饱和时，UCE0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。晶体管的三种工作状态如下图所示+UBE>0ICIB+UCE(a)放大UBC<0+IC0IB=0+UCEUCC(b)截止UBC<0++UBE0+UBE>0IB+UCE0(c)饱和UBC>0+CCCCRUI三、主要参数共射直流电流放大倍数：BCII___工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电...