1、 分立器件和集成电路的区别分立元件：每个芯片只含有一个器件；集成电路：每个芯片含有多个元件。2、 平面工艺的特点平面工艺是由Hoerni 于 1960 年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。P-N 结形成的方法：①合金结方法A、 接触加热：将一个p 型小球放在一个n 型半导体上，加热到小球熔融。B、 冷却： p 型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个再分布结晶区，这样就得到了一个pn 结。合金结的缺点：不能准确控制pn 结的位置。②生长结方法半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P 型）的半导体熔液中生长出来的。生长结的缺点：不适宜大批量生产。扩散结的形成方式与合金结相似点：表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中与合金结区别点：不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部扩散结的优点扩散结结深能够精确控制。平面工艺制作二极管的基本流程：衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N 结特性测试3、 微电子工艺的特点高技术含量设备先进、技术先进。高精度光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。超纯 指工艺材料方面，如衬底材料Si、 Ge 单晶纯度达11 个 9。超净 环境、操作者、工艺三个方面的超净，如 VLSI在 100 级超净室 10 级超净台中制作。大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。高温 多数关键工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。4、芯片制造的四个阶段固态器件的制造分为4 个大的阶段（粗线条）：①材料制备②晶体生长 /晶圆准备③晶圆制造、芯片生成④封装晶圆制备：（1）获取多晶（2）晶体生长 ----制备出单晶，包含可以掺杂（元素掺杂和母金掺杂）（3）硅片制备 ----制备出空白硅片硅片制备工艺流程（从晶棒到空白硅片）：晶体准备（直径滚磨、晶体定向、导电类型检查和电阻率检查）→切片→研磨→化学机械抛光（CMP）→背处理 →双面抛光→边缘倒角→抛光→检验→氧化或外延工艺→打包封装芯片制造的基础工艺增层——光刻——掺杂——热处理5、high-k 技术High— K 技术是在集成电路上使用高介电常数材料的技术，主要用于降低金属化物半导体（MOS）晶体管栅极泄漏电流的问题。集成电路技术的发展是伴随着...
