《材料科学基础》 试卷Ⅴ 一、选择题（每题 2 分，共 2 0 分） 1．能进行攀移的位错可能是 A A．弗兰克位错 B. 肖克莱位错 C. 螺型全位错 2. 对 Fe-Cr-C 三元合金进行渗碳的反应扩散，则该合金中不能出现 C A. 单相区 B. 两相区 C. 三相区 3. 如下说法哪个是正确的， C A. 形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加 B. 晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度 C. 当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低 4. 位错线上的割阶一般通过 A 形成。 A．位错的交割 B.交滑移 C. 孪生 5. 金属镁的单晶体处于软取向时塑变量可达 100%-200%，但其多晶体的塑性很差，其主要原因是： C A. 镁多晶体的晶粒通常较粗大 B. 镁多晶体通常存在裂纹 C. 镁滑移系通常较少 D. 因为镁是 BCC 结构，所以脆性大 6. 层错和不完全位错之间的关系是： D A. 层错和不完全位错交替出现 B. 层错和不完全位错能量相同 C. 层错能越高，不完全位错伯氏矢量的模越小 D. 不完全位错总是出现在层错和完整晶体的交界处 7. 原子扩散过程的驱动力是： B A. 组员的浓度梯度 B. 组元的化学势梯度 C. 扩散的温度 D. 扩散的时间 8. 纯金属均匀形核时， D A. 当过冷度很小时，原子可动性低，相变驱动力低，因此，形核率低； B. 当过冷度很小时，原子可动性高，相变驱动力高，因此，形核率低； C. 当过冷度很小时，原子可动性低，相变驱动力高，因此，形核率低； D. 当过冷度很小时，原子可动性高，相变驱动力低，因此，形核率低； 9．位错塞积的一个重要效应是在它的前端引起 C 。 A. 应力偏转 B. 应力松弛 C. 应力集中 10. 欲通过形变和再结晶方法获得细晶粒组织，应避免 A 。 A．在临界形变量进行塑性变形加工 B. 大变形量 C. 较长的退火时间 D. 较高的退火温度 二、判断题（正确的打“√”错误的打“×”，每题 1 分，共 1 2 分） 1. 体心立方结构是原子的次密排结构，其致密度为0.74。 （ × ） 2. 同一种空间点阵可以有无限种晶体结构，而不同的晶体结构可以归属于同一种空间点阵。 （ √ ） 3. 结晶时凡能提高形核率、降低生长率的因素，都能使晶粒细化。 （ √ ） 4. 合金液体在凝固形核时需要能量起伏、结构起伏和成分起伏。 （ √ ） 5. 小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能高。 （ × ） 6. 非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大...
