Unit 1 现在工业电子系统使用的是被称为晶体管的装置。每一类型的晶体管有区别于其他晶体管的不同特点和操作条件。在讨论的第一部分，我们来关注双极性晶体管。从结构上看，这个晶体管被描述为双极性的，是因为它有两个不同的电流载体极性。空穴是阳极电流载体，而电子是阴极电流载体。这两个不同性质的半导体晶体通过一个公共部分连接在一起。这个装置的结构类似于两个二极管背靠背连接，其中一个晶体充当另外两个晶体的公共部分。中间的材料通常被做得比外面的两片都要薄。图 1.1 表示的是此晶体管的结构，原件名称，和不同双极性晶体管的语义符号。 一个双极性晶体管主要被用做放大器来限制流经它的电流。电流从电源流入发射极，经过基极，再流出集电极。集电极的电流量通常被定义为晶体管的输出量。集电极电流由基极电流中的一小部分控制。这个关系被描述为电流增量或β。数学表达式如下： 电流增量=集电极电流÷基极电流 公式中希腊字母Δ表示变化的值。它用来表示当有交流输入时晶体管的响应。这种类型的状态被称为动态特性。公式中的Δ的省略部分表示直流或静态工作条件。 所有从发射极进入晶体管的电流被定义为发射极电流。集电极电流 Ic 通常小于 Ie。Ie 和 Ic 的不同归因于基极电流。从数学角度看，Ib=Ie－Ic 例 1-1；确定一个双极性晶体管的 Ie 为 11mA,Ic 为 10.95mA; 解；。。。（省略） 图 1.2 表示的是一个简单 NPN 型硅晶体管的电路连接图。这个电路是以正向偏置的发射极和反向偏置的集电极为基础的。我们把直流电源的负极连接到发射极，把正极通过 Rb 连接到基极来达到发射极的正向偏置。我们把电源正极通过电阻 Rl 连接到集电极，形成集电极的反向偏置。我们通过发射极的正向电压来控制流经 Rl 的集电极电流。 在一个简单的 PN 结中，正向偏置导致其导通，反向偏置导致其不导通。在晶体管中，这种规律不能直接应用因为两个结都包含在里面。例如，当发射极正向偏置时，会导致大量的 Ie 流入基极。集电极的反向偏置通常会限制这个电流。但是由于薄的基极结构，当 Ie 到达基极区时它会立刻流入集电极。最终，此电流流经集电极以集电极电流的形式出现。发射极的正向偏置因此会改变或者减少在正常晶体管操作中基极-集电极的反向偏置效果。 一个晶体管主要被定义为电流控制装置。这意味着只有当发射极正向偏置并且产生基极电流时才会有输出或者集电极电流 Ic。当基极电流停止时，集电极电流...
