REPORTING2023WORKSUMMARY实际金属的体结构与晶体缺陷课件•金属的体结构•晶体缺陷的基本概念•金属中的点缺陷CATALOGUE•金属中晶体缺陷的影响及作用PART01金属的体结构金属的晶体结构面心立方结构体心立方结构密排六方结构如铝、铜、金等金属的晶体结构为面心立方。这种结构中,每个原子被八个最近的邻居包围,形成了一个密实的三维网络。如钨、钼等金属的晶体结构为体心立方。这种结构中,每个原子被八个最近的邻居包围,但每个原子还有一个原子在它的体中心。如锌、镁等金属的晶体结构为密排六方。这种结构中,每个原子被六个最近的邻居包围,形成一个密实的二维网络,而第三维则相对开放。金属的电子结构s电子金属原子的最外层电子,通常在金属键合中起主要作用。它们很容易被激发和移动,因此金属具有良好的导电性和导热性。d电子金属原子的次外层电子,通常在金属的化学反应和物理性质中起重要作用。它们不如s电子易激发,因此对金属的导电性和导热性贡献较小。f电子金属原子的最内层电子,通常对金属的化学反应和物理性质影响不大。它们很难被激发,因此对金属的导电性和导热性贡献很小。金属的原子间距和晶格常数原子间距指金属原子之间的平均距离。这个距离取决于金属的晶体结构和晶格常数。晶格常数指构成金属晶体的最小重复单元的尺寸。它决定了金属的原子间距和晶胞体积。PART02晶体缺陷的基本概念晶体缺陷的类型点缺陷面缺陷在晶体中,原子、离子或分子偏离平衡位置,形成一个或多个空位或间隙,称为点缺陷。晶体中出现的局部非晶态结构,晶格的一部分相对于另一部分发生相对转动,产生晶界或孪晶界,称为面缺陷。线缺陷晶体中出现的局部非晶态结构,晶体的一部分相对于另一部分发生平移,产生台阶或孪晶,称为线缺陷。晶体缺陷的形成能点缺陷的形成能较低,通常比线缺陷和面缺陷小得多。面缺陷的形成能最高,通常比点缺陷和线缺陷高得多。线缺陷的形成能比点缺陷高,但比面缺陷低。晶体缺陷的平衡浓度在一定温度和压力下,晶体缺陷的平衡浓度取决于晶体的成分、结构和环境条件。随着温度的升高,晶体缺陷的平衡浓度通常会降低。随着应力的增加,晶体缺陷的平衡浓度可能会增加或降低,取决于应力和温度的相对影响。PART03金属中的点缺陷金属中的空位和间隙原子01020304空位间隙原子形成原因影响晶体结构中应占有的位置上缺在晶体结构中的间隙位置上占有并不属于该位置的原子,称为间隙原子。热涨落、辐照、杂质等。改变晶体结构、导致晶格畸变、少一个或几个原子,形成空位。影响金属的物理和化学性能。金属中的替位式杂质和色心010203替位式杂质色心影响杂质原子取代正常位置上的原子,形成替位式杂质。某些缺陷导致晶体对某些颜色的光吸收增强,使晶体呈现不均匀的颜色,称为色心。影响金属的光学和电学性能。金属中的热缺陷和辐射缺陷热缺陷辐射缺陷影响晶体在热涨落情况下产生的缺陷,包括热激态、自陷态等。晶体在受到辐射作用时产生的缺陷,如辐照损伤等。影响金属的力学、化学和物理性能。PART04金属中的线缺陷金属中的位错概念及类型位错概念位错是指晶体中原子排列的某种不规则性,表现为晶格的局部不完整性或晶体的一部分相对于另一部分的平移。位错类型根据平移的方向和方向矢量的不同,位错可分为刃型位错、螺旋型位错和混合型位错。位错的滑移和攀移位错的滑移在切应力作用下,位错沿滑移面移动,导致晶体的一部分相对于另一部分沿滑移面作整体平移。位错的攀移位错沿垂直于滑移面的方向运动,由于攀移机制不同,可分为正常攀移和异常攀移。位错的反应和相互作用位错的反应在复杂的应力状态下,不同类型和方向的位错之间可以相互作用和反应,形成各种复杂的位错结构。位错的相互作用位错之间的相互作用包括吸引和排斥,取决于它们在晶体中的相对位置和方向。PART05金属中的面缺陷金属中的晶界概念及类型晶界定义01晶界是指晶体内部结构单元周期性中断的区域,是晶体中相邻晶粒之间的界面。晶界类型02根据相邻晶粒的位向关系,晶界可以分为共格晶界和非共格晶界。共格晶界是指相邻晶粒的原子排列保持相互匹配,而非共格晶界则不满足此条件。晶界能03晶...