EEPROM读写周期时间的测试方法 VIP免费

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN102842344A(43)申请公布日2012.12.26(21)申请号CN201210302880.9(22)申请日2012.08.24(71)申请人湖北航天技术研究院计量测试技术研究所地址430000湖北省孝感市长征路95号(72)发明人袁云华李永梅王炳军(74)专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司代理人徐祥生(51)Int.CIG11C29/56权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称EEPROM读写周期时间的测试方法(57)摘要本发明涉及EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：编写前2法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态权利要求说明书1.一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：a．编写测试图形向量；a11．根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前2ⁿ(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；a12．选择第一页存储单元；a13．设置背景数据；a14．根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按公式“写周期时间=速率×循环次数”设置循环次数；a15．发写命令，写入背景数据；a16．将步骤a15重复步骤a14所述的次数，直至将背景数据全部写入。a17．选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤a14~a16，直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成；a21．选择第一个存储单元；a22．发读命令，读出存储单元当前的数据；a23．选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤a11所述存储单元全部读操作完成；b．测试写周期时间：b1．设置写周期时间为t_WC的最大值，运行写操作图形向量，对步骤a11所述的存储单元进行写操作；b2．等待写周期时间t_WC，将背景数据全部写入步骤a11所述的存储单元；b3．设置读周期时间为t_RC极限值的5~10倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内当前的数据；b4．比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格；b5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2ⁿ(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤b1~b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。b6．若所有存储单元写周期时间均测试合格，则被测器件的写周期时间测试合格，否则测试不合格。c．测试读周期时间：c1．设置写周期时间为t_WC极限值的5~10倍，运行写操作图形向量，并等待t_WC极限值5~10倍的时间，将背景数据写入步骤a11所述的存储单元；c2．将高位地址线逐位反相，选定下一个2ⁿ(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c1，直到将背景数据写入全部存储单元；c3．设置读周期时间为t_RC的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内的实际数据；c4．比较步骤c3读出的数据与背景数据是否相同，若所有单元均完全相同，则步骤a11所述存储单元的读周期时间测试合格；c5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2ⁿ(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c3~c4，直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。c6．若所有存储单元的读周期时间均测试合格，则被测EEPROM的读周期时间测试合格，否则测试不合格。2.根据权利要求1所述的EEPROM读写周期时间的测试方法，其特征在于：在步骤b6之后，若被测器件的写周期时间测试合格，将存储器擦空，逐渐减小t_WC的值，重复步骤b1~b5，直至t_WC=t_n时测试结果翻转，则t_n-1即为被测EEPROM写周期时间的具体值。3.根据权利要求1和2所述的EEPROM读写周期时间的测试方法，其特征在于：在步骤c6之后，若被测器件的读周期时间测试合格，逐渐降低t_RC的值，重复步骤c3~c5，直至t_RC=t_n时测试结果翻转，则t_n-1即为被测EEPROM读周期时间的具体值。说明书

技术领域本发明涉及测试方法，具体而言是一种EEPROM读写周期时间的测试方法。背景技术EEPROM作为一种非易失的存储器，广泛应用于单片机和对数据存储安全性及可靠性要求高的其他场合，如门禁考勤系统、测量和医疗仪表、非接触式智能...