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EEPROM读写周期时间的测试方法 VIP免费

EEPROM读写周期时间的测试方法 _第1页
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EEPROM读写周期时间的测试方法 _第2页
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN102842344A(43)申请公布日2012.12.26(21)申请号CN201210302880.9(22)申请日2012.08.24(71)申请人湖北航天技术研究院计量测试技术研究所地址430000湖北省孝感市长征路95号(72)发明人袁云华李永梅王炳军(74)专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司代理人徐祥生(51)Int.CIG11C29/56权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称EEPROM读写周期时间的测试方法(57)摘要本发明涉及EEPROM读写周期时间的测试方法,包括以下步骤:编写前2法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态权利要求说明书1.一种EEPROM读写周期时间的测试方法,包括以下步骤:a.编写测试图形向量;a11.根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量,设置所编写的图形向量为前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量;a12.选择第一页存储单元;a13.设置背景数据;a14.根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率,按公式“写周期时间=速率×循环次数”设置循环次数;a15.发写命令,写入背景数据;a16.将步骤a15重复步骤a14所述的次数,直至将背景数据全部写入。a17.选择下一页存储单元,设置不同的背景数据;重复步骤a14~a16,直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成;a21.选择第一个存储单元;a22.发读命令,读出存储单元当前的数据;a23.选择下一个地址单元,重复步骤a22,直至步骤a11所述存储单元全部读操作完成;b.测试写周期时间:b1.设置写周期时间为tWC的最大值,运行写操作图形向量,对步骤a11所述的存储单元进行写操作;b2.等待写周期时间tWC,将背景数据全部写入步骤a11所述的存储单元;b3.设置读周期时间为tRC极限值的5~10倍,运行读操作图形向量,进行一次读操作,读出步骤a11所述存储单元内当前的数据;b4.比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同,则步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格;b5.将高位地址线逐位反相,选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元,重复步骤b1~b4,直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。b6.若所有存储单元写周期时间均测试合格,则被测器件的写周期时间测试合格,否则测试不合格。c.测试读周期时间:c1.设置写周期时间为tWC极限值的5~10倍,运行写操作图形向量,并等待tWC极限值5~10倍的时间,将背景数据写入步骤a11所述的存储单元;c2.将高位地址线逐位反相,选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元,重复步骤c1,直到将背景数据写入全部存储单元;c3.设置读周期时间为tRC的最小值,运行读操作图形向量,进行一次读操作,读出步骤a11所述存储单元内的实际数据;c4.比较步骤c3读出的数据与背景数据是否相同,若所有单元均完全相同,则步骤a11所述存储单元的读周期时间测试合格;c5.将高位地址线逐位反相,选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元,重复步骤c3~c4,直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。c6.若所有存储单元的读周期时间均测试合格,则被测EEPROM的读周期时间测试合格,否则测试不合格。2.根据权利要求1所述的EEPROM读写周期时间的测试方法,其特征在于:在步骤b6之后,若被测器件的写周期时间测试合格,将存储器擦空,逐渐减小tWC的值,重复步骤b1~b5,直至tWC=tn时测试结果翻转,则tn-1即为被测EEPROM写周期时间的具体值。3.根据权利要求1和2所述的EEPROM读写周期时间的测试方法,其特征在于:在步骤c6之后,若被测器件的读周期时间测试合格,逐渐降低tRC的值,重复步骤c3~c5,直至tRC=tn时测试结果翻转,则tn-1即为被测EEPROM读周期时间的具体值。说明书

技术领域本发明涉及测试方法,具体而言是一种EEPROM读写周期时间的测试方法。背景技术EEPROM作为一种非易失的存储器,广泛应用于单片机和对数据存储安全性及可靠性要求高的其他场合,如门禁考勤系统、测量和医疗仪表、非接触式智能...

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