半导体 现在市场上的半导体大多是硅元素.但是半导体大多数都在过度元素部分找,详情见元素周期表。 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。 本征半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差，因此，不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 什么是N型半导体？P型半导体？ 在纯净的硅晶体(本征半导体)中掺入五价元素（如磷，锑，砷等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼、铟等。），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P 型半导体。 主要的掺杂方法有离子注入和热扩散 原理 P型半导体 硼元素最外层只有三个电子，而硅最外层有四个电子，硼掺进去后，与硅就不能形成稳定的8个电子的结构，形成一个空穴。这个空穴相当于一个正电子。可在导体中运动。 在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置，如图 Z0104所示。由图可知，硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另 1个硅原子的共价键中则缺少 1个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为受主原子 ，又称受主杂质 。 在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供 1个空穴，当掺入一定数量的硼原子时，就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目，成为多数载流子（多子），而电子则成为少数载流子（少子）。显然，参与导电的主要是空穴，故这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。 P 型半导体中，空穴浓度远大于自由电子浓度。空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。 N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。如图 Z0103所示。 由图可见，磷原子最外层有 5个价电子，其中 4个价电子分别与邻近 4个硅原子形成共价键结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束...
