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入门话题3:用阻抗曲线形状调试倒相箱的错误认识

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入门话题 3 :用阻抗曲线形状调试倒相箱的错误认识 阻抗曲线的测量相对比较简单,能不能从阻抗曲线的形状来判断倒相箱的调试是否合理,是许多朋友关心的问题。有许多书明确提出了一些判断的方法,在重述这些方法之前,我们先来看看倒相箱阻抗曲线的典型形状: 在上图中,倒相箱的阻抗曲线形成了两个明显的峰,两峰中夹着一个谷,这就是倒相箱阻抗曲线的典型形状。其中,频率较低的峰的频率可记作 fl,频率较高的峰对应的频率可记为 fh,而谷的位置记为 fb。fb就是倒相管与箱体共同组成的一个亥姆霍兹共鸣腔的谐振频率,简单地说,就是倒相箱的谐振频率,fb的 b就是 box的简写。(附加一个问题,这个频率与单元的参数有没有关系?) 上文说到许多书,既有科普的也有专业的,提出了一些判断方法,这些方法大意(表述不全面不到位的,请大家补充)是: 1。谷的高度,也就是欧姆数值,越接近于单元额定阻抗,说明音箱的气密性越好。反之,谷的高度越高,也就是与额定阻抗的差距越大,说明音箱漏气越严重。 2。调谐良好的双峰形状是等高的。低频峰高,说明倒相管的口径偏大;高频峰高,说明倒相管的口径偏小。 3。箱体体积大,双峰之间的距离小;箱体体积小,双峰之间的距离大。 很多人,包括许多工程师都把这些方法应用在倒相管的调整中。但是,严格地说,除了第3点,前两点都不准确甚至是错误的,而第3点虽然没错,但对箱体的调整工作实际上没有什么指导意义。 以下用大家熟悉的 lspcad做一些模拟,对这些方法进行讨论。 1。首先,谷的高度可以小于额定阻抗。把上面所说的”额定阻抗“换成”直流电阻“将合理得多,下图是一个 peerless 8ohm单元在一个假定损耗很小的箱体上的阻抗模拟结果(QB3调准,Ql和 Qa均为 100,吸音棉为 0),可以看到,谷的高度仅有 6.3ohm左右,接近单元的Re,比额定阻抗8ohm小得多: 其次,影响谷的高度的主要因素是倒相箱系统的损耗。倒相箱的损耗主要有泄露损耗(Ql)、吸收损耗(Qa)和倒相管损耗(Qp)。虽然泄露损耗是主要的损耗,但不能由“泄露"两个字就以为是漏气决定的,箱壁的强度也有很大的影响。并且由于倒相箱普遍填充有吸声材料,后二者也可以是非常明显的。比如在上面的模拟中,把 Ql和Qa分别设为 7和30,谷的低点升高到 7.8ohm左右,仍然低于额定阻抗,而吸音材料的量设为 30%时,就上升到 8.4ohm左右: 2。关于双峰的高度,这里以 lspcad自带的数据库中的 peerless六寸半单...

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