精品文档---下载后可任意编辑InGaNGaN 量子阱发光特性及反常输运行为讨论的开题报告一、讨论背景与意义：InGaN/GaN 量子阱是当前讨论的热点，由于其在紫外光领域的应用潜力和物理特性，越来越受到人们的关注。 InGaN/GaN 量子阱具有高电子迁移率、高致密度、高亮度等特点，在照明、通信、生物医学等领域得到广泛应用，但其电子输运机制尚不明确。因此，对 InGaN/GaN 量子阱的电子输运特性进行深化讨论，对于掌握其发光机制，提高其发光效率具有重要意义。二、讨论内容：本讨论主要关注 InGaN/GaN 量子阱发光特性及反常输运行为讨论，具体讨论内容如下:1.制备 InGaN/GaN 量子阱结构；2.对样品进行光致发光谱、电致发光谱、X 射线衍射等表征，探究其光电性质；3.利用时间分辨荧光光谱测量法，讨论激子和载流子复合过程；4.通过 Hall 效应 和 Shubnikov-de Haas 效应讨论样品的电学输运性质；5.基于退火、放电等技术制备氮化镓和 InGaN 的导电性缺陷及表面态，讨论在不同缺陷和表面态条件下样品的光、电性质变化。三、预期目标：1.确定 InGaN/GaN 量子阱的光学特性和电学特性，探究载流子复合机制和光致发光机制；2.讨论样品中的缺陷和表面态对其光、电性质的影响；3.对样品的电学提高，进一步探究其发光效率和功率的提高率。四、讨论方法：1.利用分子束外延法（MBE）制备 InGaN/GaN 量子阱；2.通过光致发光光谱和电致发光光谱表征样品的光学特性；精品文档---下载后可任意编辑3.采纳蓝色高功率激光照射样品，讨论激子和载流子的复合特性；4.通过 Hall 效应和 Shubnikov-de Haas 效应讨论样品的电学输运性质；5.利用退火、放电等技术制备样品表面缺陷和表面态，讨论样品光、电性质变化。五、讨论意义：通过该讨论，可以系统掌握 InGaN/GaN 量子阱发光特性及反常输运行为，为其应用和性能提高提供理论和技术基础。
