《微电子封装技术》试卷标准答案一、填空题(每空 2 分,共 40 分)1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术 6、软式印制电路板 7、极性/非离子污染8、热膨胀系数 9、倒线10、可靠性11、陶瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。二、简答题(每小题 6 分,共 30 分)1、答:一般可将厚膜浆料分为:聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。…………………………………………2 分传统的金属陶瓷厚膜包括 4 种成分,分别为:(1)有效物质:确定膜的功能,即确定膜为导体、介质层、电阻。…………………………………………1 分(2)粘贴成分:提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。…………………………………………1 分(3)有机粘贴剂:提供丝网印刷印制的合适流动性能。…………………………………………1 分(4)溶剂或稀释剂:它决定运载剂的粘度。…………………………………………1 分2、答:(1)传递电能,主要是电源电压的分配和导通。(2)传递电信号,主要是将电信号的延迟尽可能减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的 I/O 接口引出的路径达到最短。(3)提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。(4)提供结构保护与支撑,主要是指芯片封装的机械可靠性。…………………………………………6 分3、答:工艺流程如下:……………………3 分先划片后减薄:即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削;减薄划片:即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口,然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后,采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量,实现裸芯片的自动分离。……………………3 分4、答:工艺流程如下:PCB 板覆铜箔——镀胶(光刻胶,正胶或负胶)——曝光(利用掩膜板,正胶的掩膜板和实际电路模型一样,负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型)——显影(显出实际电路图型,以正胶为例)——镀锡(保护实际电路防止污染)——去胶(显出非电路部分的铜箔,实际电路被锡覆盖)——刻蚀(刻蚀掉非线路部分的铜箔)——去锡(显出实际电路图形)。……………………6 分5、答:常见缺陷:金线偏移、翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞。……………………2 分产生金线偏移的原因分...