《微电子封装技术》试卷标准答案一、填空题（每空 2 分，共 40 分）1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术 6、软式印制电路板 7、极性/非离子污染8、热膨胀系数 9、倒线10、可靠性11、陶瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。二、简答题（每小题 6 分，共 30 分）1、答：一般可将厚膜浆料分为：聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。…………………………………………2 分传统的金属陶瓷厚膜包括 4 种成分，分别为：（1）有效物质：确定膜的功能，即确定膜为导体、介质层、电阻。…………………………………………1 分（2）粘贴成分：提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。…………………………………………1 分（3）有机粘贴剂：提供丝网印刷印制的合适流动性能。…………………………………………1 分（4）溶剂或稀释剂：它决定运载剂的粘度。…………………………………………1 分2、答：（1）传递电能，主要是电源电压的分配和导通。（2）传递电信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的 I/O 接口引出的路径达到最短。（3）提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。（4）提供结构保护与支撑，主要是指芯片封装的机械可靠性。…………………………………………6 分3、答：工艺流程如下：……………………3 分先划片后减薄：即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削；减薄划片：即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口，然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后，采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量，实现裸芯片的自动分离。……………………3 分4、答：工艺流程如下：PCB 板覆铜箔——镀胶（光刻胶，正胶或负胶）——曝光（利用掩膜板，正胶的掩膜板和实际电路模型一样，负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型）——显影（显出实际电路图型，以正胶为例）——镀锡（保护实际电路防止污染）——去胶（显出非电路部分的铜箔，实际电路被锡覆盖）——刻蚀（刻蚀掉非线路部分的铜箔）——去锡（显出实际电路图形）。……………………6 分5、答：常见缺陷：金线偏移、翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞。……………………2 分产生金线偏移的原因分...
