摘要：倒装芯片在产品成本，性能及满足高密度封装等方面 体现出优势，它得应用也渐渐成为主流
由于倒装芯片得 尺寸小，要保证高精度高产量高重复性,这给我们传统得 设备及工艺带来了挑战
器件得小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装( MCM ）、系统封装（ SiP ）、倒装芯 片（ FC ， Fl ｉ p-Chip ）等应用得越来越多
这些 技术得出现更加模糊了一级封装与二级装配之间得界线
毋庸置疑,随着小型化高密度封装得出现，对高速与高精度装 配得要求变得更加关键，相关得组装设备与工艺也更具先进性与高灵活性
由于倒装芯片比 ＢＧ A 或 CSP 具有更小得外形尺寸、更小得球径与球间距、它对植球工艺、基板技术、材料得兼容性、制造工艺，以及检查设备与方法提出了前所未有得挑战
倒装芯片得进展历史倒装芯片得定义 ﻫ 什么器件被称为倒装芯片
一般来说，这类器件具备 以下特点: ﻫ１、 基材就是硅; ﻫ2、 电气面及焊凸在器件下表面； ﻫ3、 球间距一般为 4-14mil 、球径为 2、5－８ m ｉ l 、外形尺寸为 1 －2 ７ mm ； ﻫ4、 组装在基板上后需要做底部填充
其实，倒装芯片之所以被称为“倒装”，就是相对于传统得金属线键合连接方式（Ｗ ir ｅ Bon ｄing）与植球后得工艺而言得
传统得通过金属线键合与基板连接得芯片电气面朝 上（图 1）,而倒装芯片得电气面朝下（图 2）,相当于将 前者翻转过来,故称其为“倒装芯片”
在圆片(Wafer) 上芯片植完球后（图 3）,需要将其翻转，送入贴片机，便于贴装，也由于这一翻转过程,而被称为“倒装芯片”
图 1 图 2 图３ 倒装芯片得历史及其应用 倒装芯片在 1964 年开始出现,1 ９ 69 年由Ｉ BM 发明了倒 装芯片得 C4 工艺（Cont ｒｏ lled Colla ｐ se Chip C ｏ nn ｅ c
