探测器暗电流综述报告VIP免费

.. 暗电流形成及其稳定性分析综述报告目录光电探测器基本原理. .......................................................... 2 1.1 PIN光探测器的工作原理............................................... 2 1.2 雪崩光电二极管工作原理............................................... 3 暗电流的形成及其影响因素. .................................................... 4 2.1 暗电流掺杂浓度的影响................................................. 4 2.1.2复合电流特性....................................................... 5 2.1.3表面复合电流特性................................................... 5 2.1.4欧姆电流特性....................................................... 5 2.1.5隧道电流特性....................................................... 6 2.2 结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响............................... 8 2.3 腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响.......................... 10 2.4 温度特性对暗电流影响................................................ 11 暗电流稳定性分析小结. ....................................................... 12 参考文献 .................................................................... 13 .. 光探测器芯片处于反向偏置时，在没有光照的条件下也会有微弱的光电流，被称为暗电流，产生暗电流的机制有很多，主要包括表面漏电流、反向扩散电流、产生复合电流、隧穿电流和欧姆电流。。本文就将介绍光电探测器暗电流形成及其稳定性分析，并介绍了一些提高稳定性的方案，讨论它们的优势与存在的问题。光电探测器基本原理光电检测是将检测的物理信息用光辐射信号承载, 检测光信号的变化 , 通过信号处理变换 , 得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分析、高速检测、精密分析等领域, 在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具有其他方法无比拟的。因此, 光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一 , 是计量检测技术的一个重要发展方向。1.1 PIN光探测器的工作原理在 PD的 PN结间加入一层本征（或轻掺杂）半导体材料（I 区），就可增大耗尽区的宽度，减小扩散作用的影响，提高响应速度。由于I 区的材料近似为本征半导体，因此这种结构称为PIN 光探测器。图...