WQF-520 型 FTIR 硅中氧、碳含量 测量分析系统 使 用 说 明 书 1 WQF-520 型 FTIR 硅中氧、碳含量测量分析系统使用说明书 一、仪器的规格与性能（由北二光提供） 1.1、 波数范围7000cm-1～ 400cm-1 1.2、 分辨率1.0 cm-1 1.3、 波数准确度优于所设分辨率的1/2 1.4、 透过率重复性0.5%T 二、测量条件 2.1、 样品 2.1.1 、 试样 经双面研磨/单面抛光/双面抛光（机械/化学抛光）硅晶片均可。一般测量时，试样需用金刚砂303#粗磨、304#或305#细磨，以致双面平行，表面无划痕，并且试样在1300 cm-1～900 cm -1 范围内基线透过率不低于20%。 要求试样在室温下电阻率＞0.1Ω .cm,试样的厚度范围为2.00mm— 3.00mm。 2.1.2、 参样 参样的厚度约为2.00mm， 双面抛光呈镜面，并且参样中的氧、碳含量均小于1× 1016 cm-3。 2.2、 测量精密度及检测下限 2.2.1、 本方法在常温下测碳含量精密度为±20%，检测下限为1.0× 1016 cm-3 。对于低碳含量样品,多个实验室测量碳含量精密度，按照“硅中代位碳含量的红外吸收测量方法”国家标准(GB/T 1558-1997)为： SSD=0.134 NC +0.6*1016 式中：SSD— 试样的标准偏差，cm-3 ； NC — 碳含量，cm-3 。 2.2.2、 本方法在常温下测氧含量分两种情况： (1) CZ-Si(直拉硅)中氧含量精密度为±10%。 (2) FZ-Si（区熔硅）中氧含量精密度为±20%，检测下限为1× 1016 cm-3 。符合“硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法”国家标准(GB/T 1557-89)的要求。 三、测量系统组成 3.1、 硬件 3.1.1、 正常运行的WQF-520 型 FTIR 仪器一台。 3.1.2、 通用微型计算机一台。 3.2、 软件 测量分析软件光盘1 张。 四、测量系统软件的功能介绍 4.1、 主界面 进入Win 窗口，点中窗口中的快捷方式“硅中氧 -碳含量测量分析系统（Launch measureoc.exe） ”图标 ， 双击鼠标左键，启动自动测量系统，进入主界面(见图1)。 2 图 1 主界面图 或者进入Win 窗口，打开“开始”菜单，选 “程序”项中的“硅中氧-碳含量测量分析系统(硅中氧-碳含量测量分析系统\硅中氧-碳 \ Launch measureoc.exe)”项，进入主界面，随后进入主菜单(见图2)。 图 2 主菜单图 3 图 3 窗口分布说明示意图 4.2、 主菜单:共有6 个菜单项供选择(窗口分布说明见图3) 。 4.2.1、 文件：该菜单项实现对文件的管理功能。 （ 1）“新建”项—开始新的样...
